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2N5551

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 200mV@ 50mA,5mA NPN 625mW 6V 50nA 180V 160V 600mA TO-226,TO-92 通孔安装
供应商型号: 2N5551
供应商: 国内现货
标准整包数: 100
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) 2N5551

2N5551概述

    # MMBT5551 NPN通用型放大器

    产品简介


    产品类型
    MMBT5551 是一款NPN通用型晶体管,专为高电压放大器及气体放电显示驱动器设计。
    主要功能
    - 支持高电压放大器应用
    - 适用于气体放电显示驱动器
    应用领域
    广泛应用于各种电路设计中,如放大器、开关电源、传感器接口等。

    技术参数


    极限参数(参见备注1)
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VCEO | 集电极-发射极电压 | 160 | V |
    | VCBO | 集电极-基极电压 | 180 | V |
    | VEBO | 发射极-基极电压 | 6 | V |
    | IC | 集电极电流 | - 连续 | 600 | mA |
    | TJ, TSTG | 工作和存储温度 | -55 至 + 150 | °C |
    热特性(TA = 25°C)
    | 符号 | 特性 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | PD | 总耗散功率 | 350 | mW |
    | RθJA | 结到环境热阻 | 357 | °C/W |
    电气特性(TA = 25°C)
    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC = 1.0 mA, IB = 0 | 160 | V |
    | hFE | 直流电流增益 | IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V | 80 | 250 | - |
    | fT | 电流增益带宽积 | IC = 10 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz | 100 | MHz |
    | Cobo | 输出电容 | VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz | 6.0 | pF |
    | Cibo | 输入电容 | VBE = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz | 20 | pF |
    | NF | 噪声系数 | IC = 250 μA, VCE = 5.0 V, RS = 1.0 kΩ, f = 10 Hz to 15.7 kHz | 8.0 | dB |

    产品特点和优势


    - 环保认证:无铅(Pb-Free)、卤素自由、BFR自由,并符合RoHS标准。
    - 高性能:具备较高的电流增益带宽积(fT = 100 MHz),适合高频应用。
    - 耐温范围广:工作温度范围宽,从-55°C至+150°C,适用于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 气体放电显示器:MMBT5551 作为驱动器,适用于需要高可靠性气体放电显示器的场合。
    - 信号放大器:在放大器应用中,可提供稳定的放大效果。
    使用建议
    - 散热设计:确保良好的散热设计,以防止过热损坏。
    - 测试条件:根据电气特性的测试条件选择合适的测试设备,避免因测试误差导致误判。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准SOT-23封装兼容,易于集成到现有系统中。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和电路仿真工具。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品出现过早失效。
    - 解决方案:检查是否存在过载情况,确保不超过最大额定值,例如集电极电流(IC)不应超过600 mA。
    2. 问题:放大器输出不稳定。
    - 解决方案:检查输入信号和供电电压是否符合要求,确认所有连接正确无误。
    3. 问题:噪声较大。
    - 解决方案:考虑采用更高质量的电源滤波器,同时降低工作电流(IC)以减小噪声。

    总结和推荐


    综合评估
    MMBT5551 在各项电气特性方面表现出色,尤其是在高频放大应用中展现出强大的性能。它的宽温度范围和环保特性使其成为一种理想的电子元器件选择。对于需要高可靠性和低噪声的应用场合,MMBT5551是最佳选择之一。
    推荐结论
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐MMBT5551用于高电压放大器和气体放电显示器驱动等领域。该产品的优异品质和广泛的应用前景使其成为市场上极具竞争力的产品。

2N5551参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 200mV@ 50mA,5mA
配置 独立式
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大集电极发射极饱和电压 0.2@ 5mA,50mA
VCBO-最大集电极基极电压 180V
集电极截止电流 50nA
最大功率耗散 625mW
集电极电流 600mA
5.2mm(Max)
4.19mm(Max)
5.33mm(Max)
通用封装 TO-226,TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装

2N5551厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2N5551数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR 2N5551 2N5551数据手册

2N5551封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.42
1000+ ¥ 0.399
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