处理中...

首页  >  产品百科  >  NSVMMUN2236LT1G

NSVMMUN2236LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA NPN - Pre-Biased 246mW 500nA 50V 100mA SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*940μm
供应商型号: FL-NSVMMUN2236LT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMMUN2236LT1G

NSVMMUN2236LT1G概述


    产品简介


    数字晶体管(Bias Resistor Transistor,BRT)
    本系列产品设计用于替代单个晶体管及其外部电阻偏置网络。Bias Resistor Transistor (BRT) 包含一个集成的晶体管和由两个电阻组成的内置偏置网络:基极串联电阻和基极-发射极电阻。通过将这些独立组件整合到一个设备中,BRT 能够显著减少系统成本并节省电路板空间。

    技术参数


    主要规格
    - 最大集电极-基极电压 \(V{CBO}\): 50 Vdc
    - 最大集电极-发射极电压 \(V{CEO}\): 50 Vdc
    - 连续集电极电流 \(IC\): 100 mA
    - 输入正向电压 \(V{IN(fwd)}\): 40 Vdc
    - 输入反向电压 \(V{IN(rev)}\): 10 Vdc
    热特性(基于封装类型)
    - SC-59: 总耗散功率 \(PD\)(\(TA = 25°C\))为 230 mW;温度每上升1°C,功率降低 1.8 mW/°C
    - SOT-23: 总耗散功率 \(PD\)(\(TA = 25°C\))为 246 mW;温度每上升1°C,功率降低 2.0 mW/°C
    - SC-70/SOT-323: 总耗散功率 \(PD\)(\(TA = 25°C\))为 202 mW;温度每上升1°C,功率降低 1.6 mW/°C
    - SC-75: 总耗散功率 \(PD\)(\(TA = 25°C\))为 200 mW;温度每上升1°C,功率降低 1.6 mW/°C
    - SOT-723: 总耗散功率 \(PD\)(\(TA = 25°C\))为 260 mW;温度每上升1°C,功率降低 2.0 mW/°C
    电气特性(\(TA = 25°C\))
    - 断态集电极-基极截止电流 \(I{CBO}\): \(-\), \(-\), 100 nA
    - 断态集电极-发射极截止电流 \(I{CEO}\): \(-\), \(-\), 500 nA
    - 断态发射极-基极截止电流 \(I{EBO}\): \(-\), \(-\), 0.05 mA
    - 断态集电极-基极击穿电压 \(V{(BR)CBO}\): 50 Vdc
    - 断态集电极-发射极击穿电压 \(V{(BR)CEO}\): 50 Vdc
    - 直流增益 \(h{FE}\): 80 - 150
    - 饱和电压 \(V{CE(sat)}\): \(-\), \(-\), 0.25 Vdc

    产品特点和优势


    1. 简化电路设计: 集成化设计减少了所需的外围元件数量,简化了电路设计。
    2. 减少电路板空间: 将原本分散的元件整合到一个器件中,极大节省了电路板空间。
    3. 降低成本: 减少了组件数量和布局空间,降低了整体系统成本。
    4. 汽车及其他应用认证: NSV 前缀适用于需要特定工厂和控制变更要求的应用场合,符合 AEC-Q101 认证标准,具备 PPAP 生产件批准能力。
    5. 无铅、无卤化物/无溴化物,RoHS 合规: 环保设计符合最新的行业标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景示例:
    - 汽车电子控制系统
    - 工业自动化设备
    - 家用电器控制系统
    使用建议:
    - 在高电流应用中,应注意散热设计,以防止过热损坏。
    - 对于高精度信号处理应用,应考虑使用更严格的电气特性测试条件。
    - 在低温环境下工作时,需关注其耐温范围和热管理。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品具有多种封装形式(如 SC-75, SC-59, SOT-23 等),适用于不同尺寸和布局需求的电路板。
    支持和服务:
    - onsemi 提供详尽的技术文档和用户指南。
    - 在线技术支持服务(www.onsemi.com/support)可解答您的任何疑问和提供帮助。

    常见问题与解决方案


    问题 1: 如何处理产品在高电流应用下的过热问题?
    解决办法: 采用适当的散热措施,如增加散热片或散热膏,以保证良好的热传导效果。
    问题 2: 如何确保在低电压应用中的正常工作?
    解决办法: 在实际应用中,确保所使用的电源电压和负载电流符合产品的额定值。

    总结和推荐


    该产品通过集成化设计显著提升了电路板的空间效率和整体成本效益,特别适合需要高集成度和环保设计的工业及消费类电子产品。其广泛的应用场景和强大的性能表现使其成为市场上极具竞争力的选择。建议用户根据具体应用需求选择合适的型号,并遵循制造商提供的使用指导进行设计和安装。
    综上所述,该数字晶体管非常适合各类应用场合,强烈推荐使用。

NSVMMUN2236LT1G参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
集电极电流 100mA
最大功率耗散 246mW
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
配置 独立式
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*940μm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMMUN2236LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMMUN2236LT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMMUN2236LT1G NSVMMUN2236LT1G数据手册

NSVMMUN2236LT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.0249 ¥ 0.2098
库存: 51000
起订量: 24052 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886