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KSC838COBU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: NPN 250mW 4V 100nA 35V 30V 30mA TO-92-3 通孔安装 4.58mm*3.86mm*4.58mm
供应商型号: Q-KSC838COBU
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSC838COBU

KSC838COBU概述

    KSC838 NPN Epitaxial Silicon Transistor

    1. 产品简介


    KSC838 是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的NPN型外延硅晶体管。这种晶体管广泛应用于调频收音机(FM Radio)中的射频放大(RF AMP)、混频(MIX)、转换(CONV)、振荡(OSC)及中频放大(IF AMP)等领域。其高电流增益带宽积(fT=250MHz)使其成为高频应用的理想选择。此外,它具有不同的分类,后缀“-C”表示中心引脚为集电极(Emitter为发射极,Base为基础极,Collector为集电极)。

    2. 技术参数


    KSC838的主要电气特性如下:
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO):35V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):30V
    - 发射极-基极电压 (VEBO):4V
    - 集电极电流 (IC):30mA
    - 集电极耗散功率 (PC):250mW
    - 结温 (TJ):150°C
    - 存储温度 (TSTG):-55 ~ 150°C
    - 电气特性:
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO):35V (IC=100µA, IE=0)
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO):30V (IC=5mA, IB=0)
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO):4V (IE=10µA, IC=0)
    - 集电极截止电流 (ICBO):0.1µA (VCB=30V, IE=0)
    - 发射极截止电流 (IEBO):0.1µA (VEB=4V, IC=0)
    - 直流电流增益 (hFE):40 ~ 240 (VCE=12V, IC=2mA)
    - 基极-发射极开启电压 (VBE(on)):0.65 ~ 0.75V (VCE=6V, IC=1mA)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):0.1 ~ 0.4V (IC=10mA, IB=1mA)
    - 电流增益带宽积 (fT):100 ~ 250MHz (VCE=10V, IC=1mA)
    - 输出电容 (Cob):2.0 ~ 3.2pF (VCB=10V, IE=0, f=1MHz)

    3. 产品特点和优势


    KSC838 的主要特点是其高电流增益带宽积 (fT=250MHz),使其非常适合于高频应用,如FM收音机的射频放大。此外,它的宽工作温度范围和高击穿电压使得它能在恶劣环境中稳定运行。其独特的设计和高品质的制造工艺也确保了它的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    KSC838 广泛应用于FM收音机的各种电路中,如射频放大、混频、转换、振荡及中频放大。根据手册中的典型特性曲线,我们可以观察到:
    - 静态特性:随着集电极电流 (IC) 的增加,集电极-发射极电压 (VCE) 显示出线性下降的趋势。
    - 直流电流增益 (hFE):在集电极电流 (IC) 为2mA时,直流电流增益范围为40 ~ 240。
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)):在集电极电流 (IC) 为10倍基极电流 (IB) 时,饱和电压范围为0.1 ~ 0.4V。
    - 输出电容 (Cob):在集电极-基极电压 (VCB) 为10V时,输出电容范围为2.0 ~ 3.2pF。
    使用建议:在高频应用中,应注意选择合适的频率范围,以充分发挥其高增益带宽积的优势。此外,在极端温度环境下使用时,应考虑其额定的最大温度限制。

    5. 兼容性和支持


    KSC838与常见的电子元器件和设备兼容,但具体兼容性细节请参考制造商提供的文档。Fairchild Semiconductor提供了全面的技术支持和售后服务,以帮助用户解决使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是使用KSC838时可能出现的一些问题及其解决方案:
    - 问题:晶体管无法正常启动
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,特别是电源电压和信号源。确保集电极、发射极和基极接线无误。
    - 问题:增益不足
    - 解决方案:确认使用适当的输入信号和电流,特别是在高频应用中。也可以尝试更换其他具有更高增益的晶体管。
    - 问题:过热现象
    - 解决方案:确保晶体管的工作条件在其额定的最大温度范围内。使用散热片或其他冷却方法来减少热效应。

    7. 总结和推荐


    KSC838是一款高性能的NPN外延硅晶体管,特别适合于需要高电流增益带宽积的应用场合。其广泛的电气特性和可靠的设计使其在多种应用中表现出色。如果您需要一款高性能且可靠的晶体管用于高频电路,强烈推荐使用KSC838。

KSC838COBU参数

参数
集电极电流 30mA
最大集电极发射极饱和电压 400mV@ 1mA,10mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 NPN
最大功率耗散 250mW
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 4V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 35V
长*宽*高 4.58mm*3.86mm*4.58mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装

KSC838COBU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSC838COBU数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR KSC838COBU KSC838COBU数据手册

KSC838COBU封装设计

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