处理中...

首页  >  产品百科  >  FSB660A

FSB660A

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mV@ 200mA,2A PNP 500mW 5V 100nA 60V 60V 2A SOT-23-3 贴片安装 2.92mm*1.4mm*950μm
供应商型号: FSB660A
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) FSB660A

FSB660A概述

    FSB660A PNP Low Saturation Transistor

    产品简介


    FSB660A是一款高性能的PNP低饱和度晶体管,适用于各种高电流需求的应用场景。这款晶体管设计用于具有高电流增益和低饱和电压,且集电极电流可达到2A的连续电流。
    主要功能:
    - 高电流增益
    - 低饱和电压
    - 集电极电流高达2A(连续)
    应用领域:
    - 工业控制系统
    - 电机控制电路
    - 电源管理
    - LED驱动电路

    技术参数


    以下是FSB660A的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 集电极-发射极电压 (VCEO) | -60 | V |
    | 集电极-基极电压 (VCBO) | -60 | V |
    | 发射极-基极电压 (VEBO) | -5 | V |
    | 集电极电流 (IC) | -2 | A |
    | 工作及存储温度范围 (TJ, TSTG) | -55至+150 | °C |
    热特性:
    - 环境温度下(TA = 25°C):热阻(RθJA)= 250 °C/W
    电气特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO):-60 V
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO):-60 V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO):-5 V
    - 集电极截止电流 (ICBO):-100 nA
    - 发射极截止电流 (IEBO):-100 nA
    - 直流电流增益 (hFE):80 (IC = -1A, VCE = -2V)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):-300 mV (IC = -1A, IB = -100mA)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)):-1.25 V (IC = -1A, IB = -100mA)
    - 基极-发射极开启电压 (VBE(on)):-1 V (IC = -1A, VCE = -2V)
    - 输出电容 (Cob):30 pF (VCB = -10V, IE = 0, f = 1 MHz)
    - 转换频率 (fT):75 MHz (IC = -100mA, VCE = -5V, f = 100 MHz)

    产品特点和优势


    1. 高电流增益:FSB660A提供高达80的直流电流增益,适合需要高增益的应用。
    2. 低饱和电压:-300 mV的低饱和电压,有助于减少功耗和提高效率。
    3. 宽温工作范围:从-55°C到+150°C的工作温度范围使其在极端环境中也能稳定工作。
    4. 高可靠性:具备高电流处理能力和长期稳定运行的能力。
    这些特性使FSB660A成为高电流应用的理想选择,尤其是在工业控制、电机控制和电源管理系统中。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电机控制系统中,FSB660A可以作为开关晶体管使用,实现高效控制。
    - 在LED驱动电路中,FSB660A可以有效地控制电流,确保LED的稳定亮度。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑其散热要求,特别是在连续大电流应用中,要合理布置散热片以保证晶体管的可靠运行。
    - 对于需要高电流增益的应用,可以利用其高电流增益特性进行优化设计。

    兼容性和支持


    FSB660A与多种电子系统兼容,可应用于广泛的电子设备中。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,以确保用户能够顺利使用并解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管在高温环境下出现异常。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇。

    2. 问题:工作电压超出规定范围。
    - 解决方案:重新确认电路设计,确保工作电压在规定的范围内。

    总结和推荐


    FSB660A PNP低饱和度晶体管以其高电流增益、低饱和电压和宽工作温度范围在高电流应用中表现出色。在选择合适的晶体管时,它是一个值得考虑的选项。对于需要高可靠性和高效能的应用,我们强烈推荐使用FSB660A。

FSB660A参数

参数
最大功率耗散 500mW
配置 独立式
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 PNP
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 200mA,2A
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
集电极电流 2A
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 200mA,2A
VCBO-最大集电极基极电压 60V
长*宽*高 2.92mm*1.4mm*950μm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FSB660A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FSB660A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR FSB660A FSB660A数据手册

FSB660A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
378+ ¥ 1.5215
379+ ¥ 1.4685
380+ ¥ 1.4421
382+ ¥ 1.4288
库存: 21000
起订量: 382 增量: 1
交货地:
最小起订量为:382
合计: ¥ 545.8
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886