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NSVMSB1218A-RT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 500mV@ 10mA,100mA PNP 150mW 7V 100μA 45V 45V 100mA SOT-323 贴片安装 2.1mm*1.24mm*850μm
供应商型号: Q-NSVMSB1218A-RT1G
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMSB1218A-RT1G

NSVMSB1218A-RT1G概述

    MSB1218ART1G PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

    1. 产品简介


    MSB1218ART1G是一款专为通用放大应用设计的PNP硅双极晶体管,采用SC-70/SOT-323封装形式,适用于低功耗表面贴装应用。其主要功能包括高增益(hFE)和低饱和电压(VCE(sat)),使其在各种放大电路中表现出色。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压(V(BR)CBO):45 Vdc
    - 集电极-发射极电压(V(BR)CEO):45 Vdc
    - 发射极-基极电压(V(BR)EBO):7.0 Vdc
    - 持续集电极电流(IC):100 mAdc
    - 峰值集电极电流(IC(P)):200 mAdc
    - 热特性
    - 功率耗散(PD):150 mW
    - 结温(TJ):150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55至+150°C
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):45 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):45 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):7.0 Vdc
    - 集电极-基极截止电流(ICBO):0.1 mA
    - 集电极-发射极截止电流(ICEO):100 mA
    - 直流电流增益(hFE):210 至 460
    - 饱和电压(VCE(sat)):< 0.5 Vdc

    3. 产品特点和优势


    - 高增益:210至460,适用于需要高增益的应用场合。
    - 低饱和电压:小于0.5 V,能提高放大器效率。
    - 无铅、无卤素:符合RoHS标准,环保友好。
    - 广泛的工作温度范围:-55°C到+150°C,适用于多种环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 放大电路:在音频放大器和其他信号放大系统中表现优异。
    - 温度传感器:由于宽泛的工作温度范围,可应用于温度敏感的应用。
    - 使用建议:
    - 确保电源电压不超过最大额定值,以避免损坏。
    - 在高电流情况下,考虑散热措施以保持可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适合与各种放大电路配合使用,广泛适用于消费电子产品、工业控制系统等。
    - 支持信息:
    - 技术支持热线:北美1-800-282-9855;欧洲+421 33 790 2910。
    - 订购信息及更多详情,请访问官网:[www.onsemi.com](http://www.onsemi.com)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:晶体管在过载条件下出现过热现象。
    - 解决方案:确保外部电路的设计符合额定值,并采取散热措施,如加装散热片。
    - 问题二:放大效果不如预期。
    - 解决方案:检查输入信号是否在有效范围内,并确认晶体管未工作于非线性区域。

    7. 总结和推荐


    MSB1218ART1G凭借其高增益和低饱和电压等特点,在放大应用中表现出色。此外,它无铅、无卤素且符合RoHS标准,是市场上的一款优秀产品。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的放大应用中使用此晶体管。

NSVMSB1218A-RT1G参数

参数
最大功率耗散 150mW
VCBO-最大集电极基极电压 45V
集电极电流 100mA
VEBO-最大发射极基极电压 7V
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 10mA,100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 10mA,100mA
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 45V
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 100μA
长*宽*高 2.1mm*1.24mm*850μm
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMSB1218A-RT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMSB1218A-RT1G数据手册

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NSVMSB1218A-RT1G封装设计

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