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FJP5304DTU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.5V@ 500mA,2.5A NPN 70W 12V 250mA 700V 400V 4A TO-220-3 通孔安装
供应商型号: FL-FJP5304DTU
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) FJP5304DTU

FJP5304DTU概述

    FJP5304D NPN Silicon Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    FJP5304D 是一款高电压高速功率开关应用的 NPN 硅晶体管。这款晶体管具有宽的安全工作区,并内置一个自由轮转二极管,适合用于电子镇流器等多种应用场合。FJP5304D 的设计旨在提供稳定的性能,并确保在各种复杂的工作环境中可靠运行。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - Collector-Base Voltage (VCBO):700 V
    - Collector-Emitter Voltage (VCEO):400 V
    - Emitter-Base Voltage (VEBO):12 V
    - Collector Current (IC, DC):4 A
    - Collector Current (ICP, Pulse):8 A
    - Base Current (IB, DC):2 A
    - Base Current (IBP, Pulse):4 A
    - Collector Dissipation (TC=25°C):70 W
    - Storage Temperature (TSTG):-65 ~ 150 °C
    - 电气特性
    - Collector-Base Breakdown Voltage (BVCBO):700 V
    - Collector-Emitter Breakdown Voltage (BVCEO):400 V
    - Emitter-Base Breakdown Voltage (BVEBO):12 V
    - Collector Cut-off Current (ICES):100 mA
    - Collector Cut-off Current (ICEO):250 mA
    - Emitter Cut-off Current (IEBO):100 mA
    - 热特性
    - Thermal Resistance, Junction to Case (RθJC):1.78 °C/W
    - Thermal Resistance, Junction to Ambient (RθJA):62.5 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 宽安全工作区:适用于高压环境,提供更高的可靠性。
    - 内置自由轮转二极管:有助于提高电路的整体效率和稳定性。
    - 小存储时间变化:在多种工作条件下保持一致的性能。
    - 快速开关能力:适用于需要快速响应的应用,如高频逆变器和电动机驱动。

    4. 应用案例和使用建议


    FJP5304D 适用于电子镇流器、逆变器和其他需要高电压、高速度的功率转换设备。对于高频率应用,选择合适的工作温度范围和散热措施尤为重要。例如,在高负载条件下使用时,确保良好的散热条件以避免过热。
    使用建议:
    - 使用合适的散热片或风扇来管理热量。
    - 在应用中充分考虑负载条件和工作温度对性能的影响。
    - 采用外部补偿电路以改善切换速度和减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    FJP5304D 可与多种标准接口和电源模块兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档,并可通过其官方网站获取最新的产品更新和技术信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 高温环境下如何防止过热?
    - A: 确保使用适当的散热器并监测温度,必要时添加外部冷却系统。

    - Q: 如何优化开关速度?
    - A: 优化基极驱动电路,使用低阻抗驱动源以减少开关延迟和上升时间。

    - Q: 如何确定最佳工作温度范围?
    - A: 查阅技术手册中的热特性图表,并根据具体应用需求调整散热措施。

    7. 总结和推荐


    FJP5304D NPN 硅晶体管是一款高性能的高压高速功率开关器件,适合于多种高要求的应用场景。其宽广的安全工作区和内置自由轮转二极管使得其在高压、高频环境中表现出色。对于需要稳定可靠电力转换的应用,强烈推荐使用 FJP5304D。

FJP5304DTU参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.5@ 500mA,2.5A
晶体管类型 NPN
配置 独立式
VCEO-集电极-发射极最大电压 400V
集电极截止电流 250mA
集电极电流 4A
最大功率耗散 70W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.5V@ 500mA,2.5A
VEBO-最大发射极基极电压 12V
VCBO-最大集电极基极电压 700V
10.67mm(Max)
4.83mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FJP5304DTU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FJP5304DTU数据手册

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FJP5304DTU封装设计

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