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NSVMUN5332DW1T3G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 500nA 50V 100mA SOT-363 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: FL-NSVMUN5332DW1T3G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMUN5332DW1T3G

NSVMUN5332DW1T3G概述

    Complementary Bias Resistor Transistors: MUN5332DW1, NSBC143EPDXV6, NSBC143EPDP6

    1. 产品简介


    Complementary Bias Resistor Transistors(互补偏置电阻晶体管)是一种专门设计用于简化电路设计并减少板空间和组件数量的数字晶体管系列。本系列产品集成了单个晶体管及其外置电阻偏置网络,从而简化了设计流程,减少了成本并提升了整体系统性能。该系列产品广泛应用于需要单片集成技术的各类电子产品中,包括但不限于汽车和工业控制系统。

    2. 技术参数


    以下是Complementary Bias Resistor Transistors的关键技术参数:
    - 额定电压:
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 30 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 10 Vdc
    - 电流:
    - 集电极连续电流 (IC): 100 mAdc
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): 100 nAdc
    - 集电极-发射极截止电流 (ICEO): 500 nAdc
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): 1.5 mAdc
    - 热特性:
    - 热阻(结至环境)(RJA): MUN5332DW1(SOT-363)型号下为670°C/W
    - 电气特性:
    - 直流增益 (hFE): 15 至 30(IC = 5.0 mA, VCE = 10 V)
    - 饱和电压 (VCE(sat)): 0.25 V(IC = 10 mA, IB = 1.0 mA)
    - 电阻参数:
    - 输入电阻 R1: 4.7 kΩ
    - 电阻比 R1/R2: 1.0

    3. 产品特点和优势


    Complementary Bias Resistor Transistors的主要优势如下:
    - 简化电路设计: 集成的电阻网络省去了额外的分立元件,使得设计更加简单且高效。
    - 节省板空间: 集成解决方案显著减少了所需组件的数量,有助于降低总体板面积。
    - 高可靠性: 设备无铅、无卤素/无溴化物,符合RoHS标准,确保了长期稳定性和高性能。
    - PPAP能力: 经过AEC-Q101认证,具备独特的现场变更要求,适用于汽车和其他严格的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 这些晶体管广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子产品和通信设备中。
    - 使用建议: 为了达到最佳性能,建议在高温环境下使用时考虑热管理措施,例如增加散热片或采用更高导热率的材料。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该系列晶体管具有多种封装形式(SOT-363、SOT-563 和 SOT-963),可以轻松与现有系统整合。详细的订货信息可以在Datasheet中找到。
    - 支持和服务: 供应商提供全面的技术支持和应用指导,以确保客户能够顺利地将这些产品集成到其系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问:是否适合用于极端温度环境?
    - 答: 是的,这些设备的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于广泛的环境条件。

    - 问:如何处理热管理问题?
    - 答: 在设计阶段应充分考虑散热需求,通过增加散热器或优化电路布局来提高散热效率。

    7. 总结和推荐


    总的来说,Complementary Bias Resistor Transistors凭借其高效的集成设计、卓越的电气性能以及对恶劣环境的适应能力,在众多应用场合中展现出显著的优势。强烈推荐用于任何需要高可靠性和高性能的项目中,特别是汽车电子和工业自动化领域。

NSVMUN5332DW1T3G参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
集电极电流 100mA
集电极截止电流 500nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大功率耗散 -
配置 -
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSVMUN5332DW1T3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMUN5332DW1T3G数据手册

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NSVMUN5332DW1T3G封装设计

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