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NSBC114EPDP6T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 408mW 500nA 50V 100mA SOT-963 贴片安装 1mm*800μm*370μm
供应商型号: CY-NSBC114EPDP6T5G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G概述

    # DTC114EP/D: 高效互补偏置电阻晶体管

    产品简介


    DTC114EP/D是一款集成了NPN和PNP晶体管及其内部偏置网络的互补偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)。该系列的产品设计旨在取代传统晶体管及其外部电阻偏置网络,显著简化电路设计,降低系统成本并节省板载空间。每款器件包含一个集成单个电阻网络的晶体管,该网络由两个电阻组成:基极串联电阻和基极-发射极电阻。通过将这些单独的组件整合为单一设备,BRT彻底消除了对分立部件的需求。
    主要功能
    - 支持高电流、低功耗应用
    - 集成偏置电阻,减少额外组件需求
    - 提供PNP和NPN双通道配置
    应用领域
    DTC114EP/D广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域,尤其适合需要高可靠性和紧凑设计的应用场景。

    技术参数


    以下是DTC114EP/D的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | —— | —— | 50 | Vdc |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | —— | —— | 50 | Vdc |
    | 集电极电流(连续) | IC | —— | —— | 100 | mAdc |
    | 输入正向电压 | VIN(fwd) | —— | —— | 40 | Vdc |
    | 输入反向电压 | VIN(rev) | —— | —— | 10 | Vdc |
    | 结温范围 | TJ, Tstg | -55 | —— | 150 | °C |
    热特性
    - 单一结加热时热阻RJA=670°C/W
    - 双结加热时热阻RJA=490°C/W

    产品特点和优势


    DTC114EP/D系列具有以下显著特点和优势:
    1. 简化电路设计:内置偏置电阻网络,减少了外部电路的设计复杂性。
    2. 降低成本:无需额外采购分立电阻,降低了物料清单(BOM)成本。
    3. 紧凑型封装:支持SOT-363、SOT-563和SOT-963等多种小型化封装,适合空间受限的设计。
    4. 可靠性增强:符合AEC-Q101标准,适用于汽车及其他高可靠性要求的应用。
    5. 环保合规:无铅、无卤素,完全符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    DTC114EP/D广泛应用于汽车电子系统,例如车身控制模块(BCM)、发动机控制单元(ECU)及仪表盘指示灯驱动电路。此外,还适用于消费类电子产品,如智能电视、家用电器和便携式设备的开关控制电路。
    使用建议
    1. 在高频信号传输中,需考虑输出电容Cob的影响以避免信号失真。
    2. 在高温环境下使用时,需根据热特性曲线调整功率消耗以确保设备稳定运行。
    3. 对于汽车应用,确保所有相关参数均满足AEC-Q101标准测试要求。

    兼容性和支持


    DTC114EP/D支持多种封装形式,易于与其他主流电子元器件无缝集成。制造商ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品手册、应用指南及样品供应。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 减少输入功率,增加散热片 |
    | 信号延迟严重 | 检查电路布局,优化走线长度 |
    | 开关速度不达标 | 检查输入电压是否达到要求 |

    总结和推荐


    DTC114EP/D凭借其独特的集成设计、卓越的性能和广泛的应用场景,在电子行业中展现出强大的市场竞争力。它不仅能够显著提升系统的可靠性和效率,还能有效降低开发成本。因此,我们强烈推荐此产品用于各类需要高集成度和紧凑设计的电子系统中。

    以上是对DTC114EP/D产品的全面介绍,希望对您有所帮助!如有进一步需求,请联系ON Semiconductor官方技术支持团队。

NSBC114EPDP6T5G参数

参数
集电极截止电流 500nA
最大功率耗散 408mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 100mA
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置
长*宽*高 1mm*800μm*370μm
通用封装 SOT-963
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSBC114EPDP6T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC114EPDP6T5G数据手册

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NSBC114EPDP6T5G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.0389 ¥ 0.3291
5000+ $ 0.0389 ¥ 0.3291
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