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NSV1C201LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 150mV@ 200mA,2A NPN 710mW 7V 100nA 140V 100V 2A SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1mm
供应商型号: NSV1C201LT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSV1C201LT1G

NSV1C201LT1G概述


    产品简介


    产品类型:
    NSS1C201L 和 NSV1C201L 是由 ON Semiconductor 生产的 NPN 低饱和电压(VCE(sat))晶体管。它们属于 e2PowerEdge 家族的一部分,适用于低电压、高开关速度的应用场合。
    主要功能:
    这些晶体管具有极低的饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力。它们能够提供高效的能源控制,在低电压系统中表现出色。
    应用领域:
    这些晶体管广泛应用于各种便携式和电池供电的产品中,例如手机、PDA、电脑、打印机、数码相机和MP3播放器。此外,它们也适用于存储设备中的低压电机控制、汽车仪表板、气囊部署等应用。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 100 Vdc
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 140 Vdc
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 7.0 Vdc
    - 连续集电极电流 (IC): 2.0 A
    - 峰值集电极电流 (ICM): 3.0 A
    - 热特性:
    - 结到环境的热阻 (RθJA):
    - NSS1C201L: 255 °C/W
    - NSV1C201L: 176 °C/W
    - 电气特性:
    - 直流电流增益 (hFE):
    - IC = 10 mA, VCE = 2.0 V: 150 - 240
    - IC = 500 mA, VCE = 2.0 V: 120 - 360
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):
    - IC = 0.1 A, IB = 0.01 A: 0.030 V
    - IC = 2.0 A, IB = 0.200 A: 0.150 V

    产品特点和优势


    NSS1C201L 和 NSV1C201L 的显著特点是其超低饱和电压和高电流增益能力,这使得它们在高效能量控制方面具有独特的优势。它们还符合环保标准,如无铅、无卤素和RoHS认证。特别是 NSV 前缀版本还具备独特的应用要求定制能力和 AEC-Q101 认证,非常适合汽车和其他需要严格质量控制的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. DC-DC 转换器:在便携式设备中,这些晶体管可以用于调节不同电压等级,以确保稳定的电力供应。
    2. 汽车仪表板:晶体管可以用于控制和监测仪表盘上的各类指示灯,实现精确的电流控制。
    使用建议:
    1. 散热设计:由于其较高的热阻,需要注意适当的散热措施,以避免过热损坏。
    2. 驱动电路设计:为了获得最佳性能,可以考虑使用特定的驱动电路来提高其工作稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些晶体管通常可以与其他标准的 SOT-23 封装晶体管兼容,易于集成到现有的设计中。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详细的文档和技术支持,包括数据手册和应用指南,帮助用户更好地理解和使用这些晶体管。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管过热
    - 解决方案:增加散热片或改进散热路径,确保器件温度不超过最大额定值。
    2. 问题:输出不稳定
    - 解决方案:检查电源输入是否稳定,并且适当调整晶体管的驱动电流,以保证输出稳定。
    3. 问题:电流增益不足
    - 解决方案:确认驱动信号的强度是否足够,必要时可以考虑增加驱动电流。

    总结和推荐


    NSS1C201L 和 NSV1C201L 在低电压、高开关速度应用中表现出色,具有优异的性能和可靠的电气特性。它们的高电流增益能力和超低饱和电压使其在便携式和汽车电子应用中特别受欢迎。对于追求高效能和可靠性的设计者来说,这是值得推荐的选择。通过合理的散热设计和正确的驱动电路配置,可以最大化发挥这些晶体管的优势。

NSV1C201LT1G参数

参数
集电极截止电流 100nA
VEBO-最大发射极基极电压 7V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 150mV@ 200mA,2A
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
最大功率耗散 710mW
VCBO-最大集电极基极电压 140V
配置 独立式
集电极电流 2A
最大集电极发射极饱和电压 150mV@ 200mA,2A
晶体管类型 NPN
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSV1C201LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSV1C201LT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G数据手册

NSV1C201LT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 1.2204
50+ ¥ 1.2001
100+ ¥ 1.1696
500+ ¥ 1.1187
2000+ ¥ 1.0882
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