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NSVMSD601-RT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述:
供应商型号: FL-NSVMSD601-RT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMSD601-RT1G

NSVMSD601-RT1G概述

    电子元器件产品技术手册:MSD601-RT1 和 MSD601-ST1 NPN 通用放大晶体管

    产品简介


    MSD601-RT1 和 MSD601-ST1 是 ON Semiconductor 生产的 NPN 通用放大晶体管,适用于表面贴装应用。这类晶体管因其高可靠性、宽泛的工作范围和稳定的电气特性,广泛应用于各种电子设备中,如开关电源、音频放大器和逻辑控制电路等。

    技术参数


    以下是 MSD601-RT1 和 MSD601-ST1 的技术规格和性能参数:
    - 最大额定值(TA = 25°C)
    - 集电极-基极电压:V(BR)CBO = 60 Vdc
    - 集电极-发射极电压:V(BR)CEO = 50 Vdc
    - 发射极-基极电压:V(BR)EBO = 7.0 Vdc
    - 连续集电极电流:IC = 100 mAdc
    - 峰值集电极电流:IC(P) = 200 mAdc
    - 功耗:PD = 200 mW
    - 结温:TJ = 150 °C
    - 存储温度:Tstg = -55 ~ +150 °C
    - 电气特性(TA = 25°C)
    - 集电极-发射极击穿电压(IC = 2.0 mAdc, IB = 0):V(BR)CEO = 50 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压(IC = 10 µAdc, IE = 0):V(BR)CBO = 60 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压(IE = 10 µAdc, IC = 0):V(BR)EBO = 7.0 Vdc
    - 集电极-基极截止电流(VCB = 45 Vdc, IE = 0):ICBO = 0.1 µAdc
    - 集电极-发射极截止电流(VCE = 10 Vdc, IB = 0):ICEO = 100 nAdc
    - 直流电流增益(VCE = 10 Vdc, IC = 2.0 mAdc):hFE1 = 210(MSD601-RT1),hFE2 = 290(MSD601-ST1)
    - 饱和电压(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc):VCE(sat) = 0.5 Vdc

    产品特点和优势


    - 无铅封装:所有型号均提供无铅封装选项,符合环保要求。
    - 高可靠性和稳定性:适合在广泛的温度范围内稳定运行。
    - 高直流电流增益:具有较高的电流增益,确保了良好的信号放大能力。
    - 低饱和电压:较低的饱和电压使得其在开关应用中更加高效。

    应用案例和使用建议


    这些晶体管在多种电子设备中得到广泛应用,如音频放大器和开关电源。为了确保最佳性能,建议在设计电路时考虑以下几点:
    - 散热管理:由于集电极-发射极饱和电压为 0.5 Vdc,需注意散热以避免过热。
    - 保护电路:在可能的情况下,加入保护二极管以防止反向电压损坏晶体管。

    兼容性和支持


    - 包装尺寸:SC-59,符合工业标准,便于自动装配。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详细的技术支持和文档,包括详细的订单信息和包装尺寸指南。
    - 订单信息:可选无铅封装(后缀"G"),确保兼容现代环保要求。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 晶体管过热怎么办?
    - A1: 确保正确安装散热片,并检查散热路径是否畅通。
    - Q2: 晶体管电流增益不足怎么办?
    - A2: 确认基极电阻值是否合适,必要时更换更大增益的晶体管。

    总结和推荐


    总体而言,MSD601-RT1 和 MSD601-ST1 是优秀的 NPN 通用放大晶体管,适用于多种应用场合。其高可靠性、稳定的电气特性和广泛的温度范围使其在市场上具备较强竞争力。强烈推荐使用这些产品来满足需要高性能、稳定性和环保特性的设计需求。

NSVMSD601-RT1G参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
晶体管类型 -
配置 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 -
集电极截止电流 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 2.9mm*1.5mm*1.09mm
安装方式 黏合安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSVMSD601-RT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMSD601-RT1G数据手册

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NSVMSD601-RT1G封装设计

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