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NSVBAS21HT3G

产品分类: 整流二极管/整流桥
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250V 20A 50ns 100nA 200mA 独立式 SOD-323 贴片安装 1.7mm*1.25mm*900μm
供应商型号: S-NSVBAS21HT3G
供应商: Future
标准整包数: 10000
ON SEMICONDUCTOR 整流二极管/整流桥 NSVBAS21HT3G

NSVBAS21HT3G概述

    高压开关二极管BAS21H 技术手册

    产品简介


    BAS21H是一款由onsemi公司生产的高压开关二极管。它采用SOD-323封装,专为汽车和其他对产品可靠性要求较高的应用而设计。其主要功能包括提供可靠的开关操作,在高电压环境下稳定运行。该产品广泛应用于通信、工业自动化、消费电子等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 连续反向电压 (VR): 250 V
    - 重复峰值反向电压 (VRRM): 250 V
    - 峰值正向电流 (IF): 200 mA
    - 重复峰值正向电流 (IFRM): 500 mA
    - 非重复峰值正向浪涌电流 (IFSM): 2.5 A (60 Hz)
    - 非重复峰值正向电流 (Square Wave, TJ = 25°C): t = 1 μs时,IFSM = 20 A;t = 10 μs时,IFSM = 20 A;t = 100 μs时,IFSM = 10 A;t = 1 ms时,IFSM = 4 A;t = 1 s时,IFSM = 1 A
    - 热特性
    - 总设备耗散功率 (PD): 200 mW (TA = 25°C),超过25°C后每度下降1.57 mW
    - 热阻 (Junction-to-Ambient): 635 °C/W
    - 热阻 (Junction-to-Lead): 240 °C/W
    - 热阻 (Junction-to-Top): 436 °C/W
    - 存储温度范围
    - 工作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 反向电压漏电流 (VR = 200 Vdc): 最大值0.1 μA(VR = 200 Vdc, TJ = 150°C)
    - 反向击穿电压 (IBR = 100 μA): 最小值250 Vdc
    - 正向电压 (IF = 100 mAdc): 1000 mV至1250 mV
    - 二极管电容 (VR = 0, f = 1.0 MHz): 最大值5.0 pF
    - 反向恢复时间 (IF = IR = 30 mAdc, RL = 100 Ω): 最大值50 ns

    产品特点和优势


    BAS21H具备以下特点和优势:
    - 无铅、无卤素、符合RoHS标准:环保,适用于各种严苛的应用环境。
    - 独特的标记和封装设计:确保了良好的热稳定性与机械稳定性,适合高密度安装需求。
    - 优秀的电气特性:在高压下仍能保持良好的性能表现,且具有快速的反向恢复特性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BAS21H可应用于高压直流系统中,例如电源转换、逆变器及电池管理系统等。通过实测数据显示,其在各种极端条件下均能保持稳定的工作状态,确保系统可靠运行。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意散热管理,合理分配热量以避免过热。
    - 测试过程中,根据不同的测试条件调整正向电流 (IF) 和反向电流 (IR),以获取最准确的电气特性数据。
    - 使用高速示波器监测反向恢复时间 (trr),确保系统响应速度满足需求。

    兼容性和支持


    BAS21H与其他标准电路设计兼容良好,可用于多种主流单片机和控制器。onsemi公司提供全面的技术支持服务,包括详细的用户手册、应用指南和技术咨询等,确保客户能够高效地集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 改进散热设计,增加散热片或散热风扇 |
    | 正向电压异常波动 | 检查电路连接,确认所有元件安装正确 |

    总结和推荐


    总体来看,BAS21H高压开关二极管凭借其卓越的电气特性和可靠的性能表现,在多个应用领域内展现出强大的市场竞争力。无论是从环保角度还是从功能性考量,它都是理想的高压电路开关选择。我们强烈推荐将BAS21H用于需要高可靠性和高性能的高压应用场合。

NSVBAS21HT3G参数

参数
Ir - 反向电流 100nA
Vr-反向电压 250V
反向恢复时间 50ns
正向浪涌电流 20A
配置 独立式
If - 正向电流 200mA
长*宽*高 1.7mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOD-323
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSVBAS21HT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVBAS21HT3G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 整流二极管/整流桥 ON SEMICONDUCTOR NSVBAS21HT3G NSVBAS21HT3G数据手册

NSVBAS21HT3G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 0.0258 ¥ 0.2254
20000+ $ 0.0254 ¥ 0.2205
40000+ $ 0.025 ¥ 0.2148
50000+ $ 0.0242 ¥ 0.2101
150000+ $ 0.0235 ¥ 0.1989
库存: 80000
起订量: 10000 增量: 10000
交货地:
最小起订量为:10000
合计: ¥ 2254
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