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NSVMMBT5551M3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 200mV@ 5mA,50mA NPN 640mW 6V 50nA 180V 160V 60mA SOT-723 贴片安装 1.2mm*800μm*500μm
供应商型号: 488-NSVMMBT5551M3T5GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 8000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMMBT5551M3T5G

NSVMMBT5551M3T5G概述

    MMBT5551M3 NPN High Voltage Transistor 技术手册解析

    产品简介


    MMBT5551M3是一款面向通用高电压应用设计的NPN晶体管,属于我们流行的SOT-23三引脚封装系列的衍生品。它被封装在SOT-723表面贴装封装中,专为低功率表面贴装应用而设计,特别适用于电路板空间受限的应用场景。MMBT5551M3非常适合用于需要高效能、紧凑型解决方案的领域,如消费电子、汽车和其他需要高可靠性的工业应用。

    技术参数


    MMBT5551M3的主要技术参数如下:
    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 \(V{CEO}\): 160 Vdc
    - 集电极-基极电压 \(V{CBO}\): 180 Vdc
    - 发射极-基极电压 \(V{EBO}\): 6.0 Vdc
    - 持续集电极电流 \(IC\): 60 mA
    - 热特性:
    - 结到环境的热阻率 \(R{\theta JA}\):
    - FR-5板:470 °C/W
    - 氧化铝衬底:195 °C/W
    - 电气特性(\(TA\) = 25°C):
    - 关断特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 \(V{(BR)CEO}\): 160 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压 \(V{(BR)CBO}\): 180 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压 \(V{(BR)EBO}\): 6.0 Vdc
    - 集电极截止电流 \(I{CBO}\): 100 nA
    - 导通特性:
    - 直流增益 \(h{FE}\): 80-250
    - 集电极-发射极饱和电压 \(V{CE(sat)}\): 0.15-0.20 Vdc
    - 基极-发射极饱和电压 \(V{BE(sat)}\): 1.0 Vdc

    产品特点和优势


    MMBT5551M3具有以下几个显著的优势:
    - 减少电路板空间:采用SOT-723小尺寸封装,适合空间受限的应用场景。
    - 独特的功能:无铅、无卤素/溴自由且符合RoHS标准,特别适合汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。
    - 高可靠性:在广泛的温度范围内稳定工作(-55°C到+150°C),确保了在极端条件下的可靠表现。

    应用案例和使用建议


    MMBT5551M3可以应用于多种领域,如:
    - 汽车电子:作为电池管理系统的组成部分,或者用于发动机控制单元。
    - 消费电子:便携式设备中的电源管理,以及各种接口和驱动电路。
    - 工业自动化:传感器接口和信号放大电路。
    使用建议:
    - 在选择外围组件时,考虑散热和功率损耗问题,确保使用适当的散热片和电路布局以保证器件的长期稳定性。
    - 连接和焊接过程中,注意操作的静电防护措施,避免对器件造成损坏。

    兼容性和支持


    MMBT5551M3与其他标准表面贴装器件兼容,可用于多种不同的PCB设计。供应商提供全面的技术支持服务,包括技术咨询和故障排查指导。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在高温环境下运行是否会影响性能?
    - 答:不会显著影响,但建议在高温条件下采取适当散热措施以维持性能。
    2. 问:如何确保焊接质量?
    - 答:遵循标准的焊接流程和温度曲线,使用适当的焊料和设备进行焊接,确保良好的焊接效果。

    总结和推荐


    总体而言,MMBT5551M3是一款性能优异、适用于多种应用场景的NPN高电压晶体管。它凭借其紧凑的设计、高性能和广泛的温度适应能力,在低功率表面贴装应用中表现出色。如果您正在寻找一款在严格环境中仍能保持可靠表现的晶体管,MMBT5551M3是您不可多得的选择。强烈推荐该产品用于需要高性能、紧凑设计和高可靠性的应用场合。

NSVMMBT5551M3T5G参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 200mV@ 5mA,50mA
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V
晶体管类型 NPN
集电极电流 60mA
集电极截止电流 50nA
VEBO-最大发射极基极电压 6V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 200mV@ 5mA,50mA
最大功率耗散 640mW
VCBO-最大集电极基极电压 180V
长*宽*高 1.2mm*800μm*500μm
通用封装 SOT-723
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSVMMBT5551M3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMMBT5551M3T5G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMMBT5551M3T5G NSVMMBT5551M3T5G数据手册

NSVMMBT5551M3T5G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
8000+ $ 0.0527 ¥ 0.4414
16000+ $ 0.0479 ¥ 0.4007
24000+ $ 0.0454 ¥ 0.38
40000+ $ 0.0426 ¥ 0.3567
56000+ $ 0.041 ¥ 0.3429
80000+ $ 0.0394 ¥ 0.3295
200000+ $ 0.0359 ¥ 0.3001
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