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NSBA124EF3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA PNP - 预偏压 254mW 500nA 50V 50V 100mA SOT-1123 贴片安装 1mm*600μm*800μm
供应商型号: FL-NSBA124EF3T5G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBA124EF3T5G

NSBA124EF3T5G概述


    产品简介


    基本描述
    本文档介绍了半导体组件工业公司(Semiconductor Components Industries, LLC)生产的一系列数字晶体管,型号包括MUN2112、MMUN2112L、MUN5112、DTA124EE、DTA124EM3 和 NSBA124EF3。这些数字晶体管主要用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。通过集成单个晶体管和内置电阻偏置网络(两个电阻),这些器件简化了电路设计并减少了系统成本和板卡空间占用。
    主要功能
    - 集成化设计:内置基极电阻和发射极-基极电阻,简化电路设计。
    - 减少成本和空间:取代传统独立组件,减少板卡上的元器件数量和空间。
    - 适用性强:适用于汽车和其他对特定站点和控制变更要求的应用,AEC-Q101认证且具备PPAP能力。
    - 环保标准:无铅、无卤素、无BFR且符合RoHS标准。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 集电极电流 (IC): 100 mA dc
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 40 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 10 Vdc
    电气特性
    - 休眠状态下集电极-基极截止电流 (ICBO): - - 100 nA dc
    - 休眠状态下集电极-发射极截止电流 (ICEO): - - 500 nA dc
    - 休眠状态下发射极-基极截止电流 (IEBO): - - 0.2 mA dc
    - 激活状态下集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 50 Vdc
    - 激活状态下集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 50 Vdc
    - 激活状态下的直流增益 (hFE): 60 至 100

    产品特点和优势


    这些数字晶体管具有以下特点和优势:
    - 简化电路设计:通过将单个晶体管及其偏置网络集成到一个器件中,简化了设计过程。
    - 减少板卡空间:占用更少的板卡空间,提高了系统的紧凑性。
    - 降低制造成本:减少所需的分立元件数量,降低了生产成本。
    - 高可靠性:具有良好的温度特性和可靠性的保障,适合汽车和其他严苛应用环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些数字晶体管可以广泛应用于汽车电子、通信设备、电源管理等领域。特别是在汽车电子领域,由于这些器件通过了AEC-Q101认证,确保了其在极端环境下的稳定性和可靠性。
    使用建议
    1. 正确配置输入和输出:确保输入电压和输出电压在指定范围内,避免超出最大额定值导致损坏。
    2. 散热设计:根据不同的封装类型,采用适当的散热措施以保持器件正常运行。
    3. 电路设计考虑:由于这些器件已经集成了偏置网络,设计师可以在电路图中直接替换传统分离元件,从而简化整体设计。

    兼容性和支持


    这些数字晶体管支持多种封装形式,包括SC-75、SOT-23、SC-70/SOT-323、SOT-723和SOT-1123。此外,厂商提供了详细的订购信息和运输说明。对于任何技术问题,供应商提供了技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过载时的可靠性问题
    2. 输入输出电压范围问题
    解决方案
    1. 确保负载电流在额定范围内:避免超过最大集电极电流额定值,以防止器件过热和损坏。
    2. 严格遵循输入输出电压范围:确保输入和输出电压不超过规定的最大值,以免损坏晶体管。

    总结和推荐


    综上所述,这款数字晶体管系列在简化电路设计、降低成本和节省空间方面表现出色,适用于汽车、通信和电源管理等多个领域。鉴于其优异的技术性能和广泛的适用范围,强烈推荐使用这些数字晶体管。对于需要高度可靠性和紧凑设计的应用,它们是理想的选择。

NSBA124EF3T5G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 50V
集电极截止电流 500nA
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 254mW
晶体管类型 PNP - 预偏压
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 0.3mA @ 10mA
集电极电流 100mA
长*宽*高 1mm*600μm*800μm
通用封装 SOT-1123
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBA124EF3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBA124EF3T5G数据手册

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NSBA124EF3T5G封装设计

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