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NSVMMBTA05LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 10mA,100mA NPN 300mW 4V 100nA 60V 60V 500mA SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*940μm
供应商型号: CY-NSVMMBTA05LT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMMBTA05LT1G

NSVMMBTA05LT1G概述

    MMBTA05L/06L NPN Silicon Driver Transistors: A Comprehensive Guide

    1. 产品简介


    MMBTA05L/06L 是一种NPN硅制驱动晶体管,适用于各种汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用场合。这些器件符合AEC-Q101标准,并且能够进行PPAP(生产件批准程序)。
    - 产品类型:NPN硅制驱动晶体管
    - 主要功能:用作放大器和开关电路中的驱动元件
    - 应用领域:广泛应用于汽车电子、工业自动化、消费电子等领域

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册提取的主要技术规格:
    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):MMBTA05L为60V,MMBTA06L为80V
    - 基极-集电极电压 (VCBO):MMBTA05L为60V,MMBTA06L为80V
    - 发射极-基极电压 (VEBO):4.0V
    - 集电极连续电流 (IC):500mA
    - 最大总功耗 (PD):FR-5板材上为225mW(TA=25°C),Alumina板上为300mW(TA=25°C)
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C至+150°C
    - 热特性:
    - 热阻 (Junction-to-Ambient):FR-5板上为556°C/W,Alumina板上为417°C/W
    - 电气特性(TA=25°C):
    - 关断特性:集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO):MMBTA05L为60V,MMBTA06L为80V
    - 开启特性:直流电流增益 (hFE):最小100
    - 开关时间:上升时间为3.0ns,下降时间为3.0ns

    3. 产品特点和优势


    - 无铅、无卤素、RoHS兼容:确保环保和安全标准的合规性
    - 高可靠性:通过AEC-Q101认证,确保在恶劣环境下也能稳定运行
    - 高电流增益:具备较高的直流电流增益(hFE),适用于多种驱动和放大需求
    - 快速开关能力:出色的开关速度(上升时间和下降时间分别为3.0ns),适合高速数字信号处理

    4. 应用案例和使用建议


    - 汽车电子:作为电子控制系统中的驱动元件,例如发动机管理系统
    - 工业自动化:用于控制电机、电磁阀等执行机构
    - 消费电子:在音频放大器、LED驱动电路中应用广泛
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热设计,避免过热导致性能下降
    - 由于开关速度快,建议配合相应的驱动电路以获得最佳性能

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他标准NPN晶体管互换使用,方便集成到现有电路中
    - 支持:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够在使用过程中获得及时帮助

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何处理静电放电(ESD)问题?
    - A: 使用ESD保护套和适当接地措施可以有效减少ESD的影响。
    - Q:集电极电流超过最大额定值时会发生什么?
    - A: 过高的集电极电流可能导致器件损坏,必须严格按照最大额定值使用。
    - Q:如何提高散热效果?
    - A: 可以选择散热性能更好的材料如铝基板,并合理布局电路板,增加散热片。

    7. 总结和推荐


    MMBTA05L/06L 是一款高性能的NPN硅制驱动晶体管,具有广泛的适用性和良好的市场竞争力。适用于多种驱动和放大需求,特别是在需要高可靠性和低功耗的应用场景中表现尤为出色。因此,我们强烈推荐这款产品用于各类电子系统的设计与开发中。
    希望这篇技术手册内容的总结能为您的应用提供有价值的参考。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系ON Semiconductor的官方技术支持团队。

NSVMMBTA05LT1G参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 60V
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 4V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 10mA,100mA
最大功率耗散 300mW
集电极截止电流 100nA
集电极电流 500mA
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 10mA,100mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*940μm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSVMMBTA05LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMMBTA05LT1G数据手册

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NSVMMBTA05LT1G封装设计

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5000+ $ 0.0426 ¥ 0.3599
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