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NSVS50031SB3T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 210mV@ 100mA,2A NPN 1.1W 6V 1μA 100V 50V 3A CPH-3 贴片安装
供应商型号: CY-NSVS50031SB3T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVS50031SB3T1G

NSVS50031SB3T1G概述

    NSVS50030SB3/NB3 双极型晶体管技术手册

    1. 产品简介


    NSVS50030SB3/NB3 是一款高电流、低饱和电压、高速开关的双极型晶体管。它适用于多种汽车应用,如电机驱动、继电器驱动和直流-直流转换器。此外,这些器件符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力,确保其在严苛环境下的可靠性。

    2. 技术参数


    以下是该产品的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极到基极电压(VCBO): -100 V
    - 集电极到发射极电压(VCES): -100 V
    - 集电极到发射极电压(VCEO): -50 V
    - 发射极到基极电压(VEBO): -6 V
    - 集电极电流(IC): -3 A
    - 集电极电流(脉冲)(ICP): -6 A
    - 基极电流(IB): -600 mA
    - 集电极耗散功率(PC): 1.1 W
    - 结温(Tj): 175 °C
    - 存储温度(Tstg): -55 to +175 °C
    - 电气特性:
    - 集电极截止电流(ICBO): (−1) μA
    - 发射极截止电流(IEBO): (−1) μA
    - 直流电流增益(hFE): 200 至 560
    - 增益-带宽积(fT): 360 至 380 MHz
    - 输出电容(Cob): 24 至 13 pF
    - 集电极到发射极饱和电压(VCE(sat)): -100 至 -200 mV
    - 基极到发射极饱和电压(VBE(sat)): -0.88 至 -1.2 V
    - 集电极到基极击穿电压(V(BR)CBO): -50 至 100 V
    - 集电极到发射极击穿电压(V(BR)CES): -50 至 100 V
    - 集电极到发射极击穿电压(V(BR)CEO): -50 V
    - 发射极到基极击穿电压(V(BR)EBO): -6 V
    - 开启时间(ton): 30 ns
    - 存储时间(tstg): 230 ns
    - 下降时间(tf): 15 ns

    3. 产品特点和优势


    - 大电流容量
    - 低饱和电压
    - 高开关速度
    - 高允许功耗
    - 符合AEC-Q101标准并具备PPAP能力
    - 无铅、无卤素、符合RoHS标准
    - 超小型封装有助于产品的小型化(安装高度:0.9 mm)

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用包括:
    - 直流-直流转换器
    - 继电器驱动、灯驱动、电机驱动
    - 照相机闪光灯
    使用建议:
    - 在进行直流-直流转换器设计时,注意确保集电极电流(IC)不超过-3 A。
    - 在电机驱动应用中,确保晶体管能够承受脉冲电流达到-6 A。
    - 确保在高温环境下仍能保持良好的性能,特别是在存储温度范围为-55°C至+175°C的情况下。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品符合AEC-Q101标准,并具备PPAP能力。
    - 提供无铅、无卤素、符合RoHS标准的产品。
    - 厂商提供技术支持和维护服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品在高温环境下不能正常工作。
    - 解决方案: 确保系统设计中集电极温度(Tj)不超过175°C。
    - 问题2: 产品开启时间过长。
    - 解决方案: 检查外部电路设计,确保输入信号满足晶体管的开启时间要求。
    - 问题3: 产品无法承受高电流脉冲。
    - 解决方案: 确认外部电源设计不会超过产品的脉冲电流极限(ICP)。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NSVS50030SB3/NB3 双极型晶体管具有高电流、低饱和电压、高开关速度等特点,特别适合于电机驱动、继电器驱动和直流-直流转换器等应用。该产品的各项参数和规格均经过严格测试,能够在各种严苛环境中稳定工作。因此,强烈推荐使用这款产品,以满足高性能电子设备的需求。
    本文档仅供参考,具体应用时请参考产品手册中的详细信息。

NSVS50031SB3T1G参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 100V
集电极截止电流 1μA
集电极电流 3A
晶体管类型 NPN
最大功率耗散 1.1W
最大集电极发射极饱和电压 0.21@ 100mA,2A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 210mV@ 100mA,2A
通用封装 CPH-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVS50031SB3T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVS50031SB3T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVS50031SB3T1G NSVS50031SB3T1G数据手册

NSVS50031SB3T1G封装设计

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