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NSS12500UW3T2G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 260mV@ 400mA,4A PNP 1.5W 7V 100nA 12V 12V 5A DFN 贴片安装 2mm*2mm*750μm
供应商型号: FL-NSS12500UW3T2G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSS12500UW3T2G

NSS12500UW3T2G概述

    # 高质量电子元器件产品技术手册

    产品简介


    ON Semiconductor的e2PowerEdge家族中,有一款名为NSS12500UW3T2G的PNP晶体管。它是一款表面贴装的小型化器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力,适用于低压、高速开关应用。例如,在便携式设备和电池供电的产品如手机、PDA、电脑、打印机、数码相机和MP3播放器中进行直流-直流转换和电源管理时,这款晶体管能提供高效的能源控制。此外,它还广泛应用于汽车仪表盘、气囊部署系统以及低电压电机控制系统等场合。值得一提的是,该器件采用无铅封装设计。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): -12 Vdc
    - 集电极-基极电压 (VCBO): -12 Vdc
    - 发射极-基极电压 (VEBO): -7.0 Vdc
    - 持续集电极电流 (IC): -5.0 A
    - 峰值集电极电流 (ICM): -8.0 A
    - 热阻(结到空气) (RθJA): 143°C/W (TA = 25°C)
    - 电气特性
    - DC电流增益 (hFE): 最小值为250(在IC = -10 mA, VCE = -2.0 V条件下),最大值可达300。
    - 饱和电压 (VCE(sat)): 在IC = -1.0 A, IB = -0.1 A条件下的典型值为-0.080 V。
    - 输入电容 (Cibo): 最大值为650 pF。
    - 输出电容 (Cobo): 最大值为210 pF。
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td): 最大值为100 ns。
    - 上升时间 (tr): 最大值为150 ns。
    - 存储时间 (ts): 最大值为325 ns。
    - 下降时间 (tf): 最大值为200 ns。

    产品特点和优势


    NSS12500UW3T2G的主要特点是其超低饱和电压(VCE(sat)),这使得其能够在高效能源控制和功率管理方面表现卓越。同时,其高电流增益能力和较小的输入输出电容使其非常适合于需要快速开关的应用。其独特的性能优势包括极低的热阻(结到空气热阻仅为143°C/W),这有助于提高器件的稳定性和可靠性。无铅封装进一步增强了其环保特性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:在智能手机和平板电脑的充电电路中,该晶体管可以用于快速高效的直流-直流转换;在汽车仪表盘中用于驱动指示灯,以及在便携式音频播放器中用于信号放大。
    - 使用建议:在使用该晶体管进行设计时,应考虑其特定的工作条件,如保持集电极-发射极电压(VCEO)不超过-12 Vdc,确保足够的散热以避免过热。此外,应尽可能减小电路中的杂散电感和电容,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    NSS12500UW3T2G晶体管与多种电子元器件和其他设备兼容。ON Semiconductor提供了详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,公司还提供电话和技术支持,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何避免晶体管过热?
    - 解决方案: 使用散热片或散热器来增加散热效果,并确保良好的电路布局以利于热量扩散。检查热阻(RθJA)值,保证在极限温度范围内工作。
    - 问题2: 晶体管工作不稳定,可能的原因是什么?
    - 解决方案: 确认所有连接正确无误,检查输入信号的频率和幅度,确保其符合晶体管的工作范围。此外,可以检查电源电压是否稳定,以排除外部干扰的影响。

    总结和推荐


    NSS12500UW3T2G是一款设计精良、性能出色的PNP晶体管,特别适合应用于需要高效能源管理和快速开关特性的电子系统中。其独特的优势在于极低的饱和电压和高电流增益能力,使它在便携式电子设备、汽车电子等领域具有很高的应用价值。综合来看,对于需要高性能PNP晶体管的项目,强烈推荐使用NSS12500UW3T2G。
    以上是关于NSS12500UW3T2G PNP晶体管的详细介绍。希望这些信息对您选择合适的电子元器件有所帮助。

NSS12500UW3T2G参数

参数
集电极截止电流 100nA
VEBO-最大发射极基极电压 7V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 260mV@ 400mA,4A
配置 独立式
最大集电极发射极饱和电压 260mV@ 400mA,4A
VCBO-最大集电极基极电压 12V
集电极电流 5A
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
最大功率耗散 1.5W
晶体管类型 PNP
长*宽*高 2mm*2mm*750μm
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSS12500UW3T2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSS12500UW3T2G数据手册

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NSS12500UW3T2G封装设计

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