处理中...

首页  >  产品百科  >  NSVMUN531335DW1T1G

NSVMUN531335DW1T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 1 NPN Pre-Biased,1 PNP 385mW 500nA 50V 100mA SOT-363-6 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: CY-NSVMUN531335DW1T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMUN531335DW1T1G

NSVMUN531335DW1T1G概述

    MUN531335DW1:互补偏置电阻晶体管技术手册

    1. 产品简介


    MUN531335DW1是一款互补偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor,简称BRT),集成了NPN和PNP型晶体管以及内部偏置电阻网络。这些产品适用于各种电子电路设计中,如汽车应用和其他需要特殊工艺和控制要求的应用。MUN531335DW1系列的数字晶体管能够替换传统的单个晶体管及其外部电阻偏置网络,从而简化电路设计,减少板级空间,并降低组件数量。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO):50V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):50V
    - 集电极电流(连续) (IC):100mA
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)):12V (PNP), 40V (NPN)
    - 输入反向电压 (VIN(rev)):5V (PNP), 10V (NPN)
    - 热特性
    - 总器件耗散功率
    - 在TA = 25°C时:187mW (单端加热), 250mW (双端加热)
    - 超过25°C时的降额率:1.5mW/°C (单端加热), 2.0mW/°C (双端加热)
    - 电气特性
    - 断态特性
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO):100nA
    - 集电极-发射极截止电流 (ICEO):500nA
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO):0.2mA (PNP), 0.1mA (NPN)

    - 通态特性
    - 直流电流增益 (hFE):80~140
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):0.25V
    - 输出电压 (VOL):0.2V (NPN), 0.2V (PNP)
    - 输出电压 (VOH):4.9V

    3. 产品特点和优势


    - 简化电路设计:通过集成内部偏置电阻网络,减少了外部电阻的使用,使得电路设计更加简洁。
    - 减少板级空间:占用空间小,特别适合对板级空间有严格要求的应用场合。
    - 降低组件数量:一个器件可以替代多个分立元件,有助于降低成本和提高可靠性。
    - NSV前缀认证:适用于汽车及对特殊需求和控制变化有严格要求的应用场合,已通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。
    - 环保特性:无铅、无卤素、无BFR,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    MUN531335DW1适用于多种应用,包括汽车电子系统、工业控制装置、消费电子等。这些应用需要高可靠性和紧凑设计,特别是在PCB空间受限的情况下。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合最大额定值的要求,避免超载导致损坏。
    - 在安装和测试过程中,遵循正确的ESD保护措施以防止静电损害。
    - 针对不同温度范围的应用,注意选择合适的器件型号,并考虑降额使用。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:MUN531335DW1与现有的标准电路板布局高度兼容,适用于现有的设计。
    - 支持和维护:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和在线技术支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确识别MUN531335DW1的封装型号?
    - 解答:查看器件上的标记图,根据通用标记模式识别出封装信息。

    - 问题2:在高湿度环境下,器件表现出不稳定现象,如何处理?
    - 解答:确保电路板在组装和焊接后进行了适当的防护涂层,例如三防漆,以提高抗湿能力。

    - 问题3:发现器件在高温下出现过热,如何预防?
    - 解答:参考热特性数据表,确保电路设计符合热降额曲线,在实际应用中采取散热措施,比如加装散热片。

    7. 总结和推荐


    MUN531335DW1是一款设计精良、应用广泛的互补偏置电阻晶体管。它通过简化电路设计、减少组件数量和节省板级空间来提高整体系统的可靠性。其独特的内部偏置电阻网络使得器件在各种严苛环境中均能保持稳定性能。我们强烈推荐该产品用于需要高可靠性和紧凑设计的应用场合,尤其适合汽车电子和工业控制系统领域。

NSVMUN531335DW1T1G参数

参数
集电极截止电流 500nA
集电极电流 100mA
晶体管类型 1 NPN Pre-Biased,1 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
最大功率耗散 385mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
配置
VEBO-最大发射极基极电压 -
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-363-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMUN531335DW1T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMUN531335DW1T1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMUN531335DW1T1G NSVMUN531335DW1T1G数据手册

NSVMUN531335DW1T1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.0277 ¥ 0.2337
5000+ $ 0.0277 ¥ 0.2337
库存: 17232
起订量: 4279 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 233.7
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886