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NST847BDP6T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 600mV@ 5mA,100mA 2 NPN (Dual) 420mW 6V 15nA 50V 45V 100mA SOT-963 贴片安装 1mm*800μm*370μm
供应商型号: 30C-NST847BDP6T5G SOT-963-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NST847BDP6T5G

NST847BDP6T5G概述

    NST847BDP6T5G 双通用晶体管技术手册

    1. 产品简介


    NST847BDP6T5G 是一种适用于通用放大器应用的双晶体管,采用 SOT-963 六引脚表面贴装封装。这款晶体管是由 ON Semiconductor 生产的高性能电子元器件,特别适用于低功耗的表面贴装应用,尤其是在空间有限的印刷电路板设计中,可以显著减少所需组件的数量和电路板的空间。

    2. 技术参数


    以下是 NST847BDP6T5G 的关键技术和性能参数:
    - 电气特性
    - 集电极-发射极电压:VCEO ≤ 45 Vdc
    - 集电极-基极电压:VCBO ≤ 50 Vdc
    - 发射极-基极电压:VEBO ≤ 6.0 Vdc
    - 集电极电流(连续):IC ≤ 100 mAdc
    - 静电放电(HBM/MM):ESD Class 2 B
    - 关断特性
    - 集电极-发射极击穿电压(IC = 10 mA):V(BR)CEO ≤ 45 V
    - 集电极-发射极击穿电压(IC = 10 μA, VEB = 0):V(BR)CES ≤ 50 V
    - 集电极-基极击穿电压(IC = 10 μA):V(BR)CBO ≤ 50 V
    - 发射极-基极击穿电压(IE = 1.0 μA):V(BR)EBO ≤ 6.0 V
    - 导通特性
    - 直流电流增益(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V):hFE 200 - 450
    - 集电极-发射极饱和电压(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA):VCE(sat) ≤ 0.25 V
    - 基极-发射极饱和电压(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA):VBE(sat) ≤ 0.7 V
    - 小信号特性
    - 电流增益-带宽乘积(IC = 10 mA, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz):fT ≥ 100 MHz
    - 输出电容(VCB = 10 V, f = 1.0 MHz):Cobo ≤ 4.5 pF
    - 输入电容(VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz):Cibo ≤ 10 pF
    - 噪声系数(IC = 0.2 mA, VCE = 5.0 Vdc, RS = 2.0 kΩ, f = 1.0 kHz, BW = 200 Hz):NF ≤ 10 dB
    - 热特性
    - 最大总功耗(TA = 25°C):PD 350 mW
    - 热阻,结到环境(TA = 25°C):RJA 357 °C/W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg -55 to +150 °C

    3. 产品特点和优势


    NST847BDP6T5G 拥有多项独特功能和优势,使其在各类应用中脱颖而出:
    - 简化电路设计:内置两个独立的晶体管,适合复杂的放大器设计。
    - 降低板面积:采用 SOT-963 封装,显著减少占用的空间。
    - 减少组件数量:集成两个晶体管,减少了 PCB 上所需的组件数量。
    - 无铅设计:符合环保要求,更安全可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    NST847BDP6T5G 广泛应用于各类放大器电路,如信号调理、音频处理、电源管理等领域。以下是一些使用建议:
    - 在高精度模拟电路中,确保正确选择偏置电阻以保持稳定的直流电流增益。
    - 对于高速开关应用,注意控制集电极-发射极饱和电压以降低开关损耗。
    - 在极端温度环境下使用时,需特别关注散热措施,避免热失控。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NST847BDP6T5G 与市场上主流的 PCB 设计和制造工艺兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,可通过官网访问。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:电路无法正常启动。
    - 解决方法:检查接线是否正确,特别是集电极和发射极的连接。
    - 问题2:电路噪声过大。
    - 解决方法:调整输入电容值,优化电路布局以减少寄生电容的影响。
    - 问题3:功耗过高。
    - 解决方法:检查电路是否合理,确保选择了合适的晶体管和外围元件。

    7. 总结和推荐


    NST847BDP6T5G 是一款高性能的双晶体管,非常适合用于需要高集成度、低功耗和小型化应用的场合。其独特的功能和出色的性能使其在市场上具有很高的竞争力。推荐在需要紧凑设计和高可靠性的电子设备中使用此款晶体管。

NST847BDP6T5G参数

参数
集电极电流 100mA
VCBO-最大集电极基极电压 50V
配置
最大功率耗散 420mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 600mV@ 5mA,100mA
VEBO-最大发射极基极电压 6V
VCEO-集电极-发射极最大电压 45V
集电极截止电流 15nA
最大集电极发射极饱和电压 600mV@ 5mA,100mA
晶体管类型 2 NPN (Dual)
长*宽*高 1mm*800μm*370μm
通用封装 SOT-963
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NST847BDP6T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NST847BDP6T5G数据手册

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NST847BDP6T5G封装设计

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500+ ¥ 0.7546
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4000+ ¥ 0.6655
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