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KSC2383YTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流1 A, 最大集电极-发射电压160 V
供应商型号: 11M-D-KSC2383YTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSC2383YTA

KSC2383YTA概述

    KSC2383 NPN Epitaxial Silicon Transistor

    产品简介


    KSC2383是一款由Semiconductor Components Industries(简称ON Semiconductor)生产的NPN外延硅晶体管。它主要用于开关应用、放大器电路及各种电子控制系统中。由于其优良的性能和高可靠性,KSC2383在工业控制、汽车电子、通信系统等多个领域都有广泛应用。

    技术参数


    以下是KSC2383的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 集电极-基极电压 | VCBO | V | 160 | - | 160 |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | V | 160 | - | 160 |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | V | 6 | - | 6 |
    | 集电极电流 | IC | A | - | - | 1 |
    | 基极电流 | IB | A | - | - | 0.5 |
    | 结温 | TJ | °C | - | 25 | 150 |
    | 存储温度 | TSTG | °C | -55 | - | 150 |
    | 功耗 | PD | mW | - | 900 | - |
    | 热阻抗,结到环境 | RθJA | °C/W | - | 138 | - |
    | 集电极截止电流 | ICBO | μA | - | 1 | - |
    | 发射极截止电流 | IEBO | μA | - | 1 | - |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | V | - | 160 | - |
    | 直流电流增益 | hFE | - | 60 | 320 | - |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | V | - | 1.5 | - |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(on) | V | 0.45 | 0.75 | - |
    | 电流增益带宽积 | fT | MHz | - | 20 | 100 |

    产品特点和优势


    KSC2383具备以下几点显著优势:
    - 高耐压能力:VCBO和VCEO达到160V,适用于高压环境下的工作。
    - 宽工作温度范围:存储温度范围从-55°C到+150°C,使得其在极端环境下仍能保持稳定运行。
    - 大电流处理能力:集电极电流最大可达1A,非常适合需要大功率处理的应用场合。
    - 高直流电流增益:最高可达320,确保了良好的信号放大性能。
    - 低饱和电压:VCE(sat)仅1.5V,有助于降低能耗并提高效率。

    应用案例和使用建议


    KSC2383在各种应用中都有广泛的使用,例如:
    - 开关电源:利用其高速开关特性和较低的饱和电压,可以高效地实现电能转换。
    - 音频放大器:因其高电流增益和带宽,适合应用于音频信号的放大。
    - 马达驱动:能够提供足够的电流来驱动各种类型的电动机。
    使用建议:
    - 在设计时需注意散热管理,确保工作温度不超出绝对最大值。
    - 确保电路布局合理,减少寄生电容对性能的影响。
    - 定期检查焊接点和连接线以确保电路的稳定运行。

    兼容性和支持


    KSC2383与多种标准封装和接口兼容,易于集成到现有系统中。制造商ON Semiconductor提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档、技术咨询热线以及技术支持邮箱等,为客户提供全方位的支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致性能下降 | 检查散热设计,确保良好的空气流通或增加散热片。 |
    | 输出电流不足 | 确认外部供电是否足够,并检查负载是否超载。 |
    | 开关速度慢 | 减少基极电阻值以增加基极电流,从而加快开关速度。 |

    总结和推荐


    KSC2383凭借其优异的性能和广泛的应用范围,在市场上表现出色。其高耐压能力和优良的电流处理能力使其成为众多关键应用的理想选择。总体而言,KSC2383是一款值得信赖的产品,我们强烈推荐将其用于需要高性能、高可靠性的场合。

KSC2383YTA参数

参数
最大功率耗散 900mW
VCBO-最大集电极基极电压 160V
集电极电流 1A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.5V@ 50mA,500mA
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 50mA,500mA
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 6V
集电极截止电流 1μA
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*9.7mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,卷带包装

KSC2383YTA厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSC2383YTA数据手册

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KSC2383YTA封装设计

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