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NSVMUN5213DW1T3G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 500nA 50V 100mA SOT 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: NSVMUN5213DW1T3GOSTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 10000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMUN5213DW1T3G

NSVMUN5213DW1T3G概述


    产品简介


    DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管
    DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管是一种集成的电子元器件,由两个内部集成的电阻(R1和R2)组成,每个电阻阻值分别为47kΩ。这些晶体管主要用于简化电路设计,减少印刷电路板(PCB)空间需求,并降低组件数量。它们适用于汽车和其他需要特定站点和控制变更要求的应用场合,例如符合AEC-Q101标准。

    技术参数


    以下是DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管的技术规格和性能参数:
    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50 Vdc
    - 持续集电极电流:IC = 100 mA dc
    - 输入正向电压:VIN(fwd) = 40 Vdc
    - 输入反向电压:VIN(rev) = 10 Vdc
    - 热特性:
    - 最大总耗散功率:TA = 25°C时,PD = 187 mW(单个结加热)
    - 热阻:Junction to Ambient(RJA)= 670 °C/W(单个结加热)
    - 电气特性:
    - 关断特性:
    - 集电极-基极截止电流:ICBO ≤ 100 nA
    - 集电极-发射极截止电流:ICEO ≤ 500 nA
    - 发射极-基极截止电流:IEBO ≤ 0.1 mA
    - 开启特性:
    - 直流电流增益:hFE = 80 至 140
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) ≤ 0.25 V

    产品特点和优势


    DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管具有以下独特功能和优势:
    - 简化电路设计:通过集成的电阻网络,减少了外部组件的数量,从而简化了电路设计过程。
    - 节省空间:集成的偏置电阻减少了PCB上的物理空间需求。
    - 降低组件数量:无需额外的外部电阻,进一步降低了组件成本。
    - 汽车及其他应用:S和NSV前缀表示产品符合AEC-Q101标准,适合于汽车及其他需要高可靠性的应用。
    - 环保材料:无铅、无卤素、无BFR,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管适用于多种电路设计场景,包括但不限于:
    - 通信设备:用于信号放大和开关控制。
    - 工业控制系统:用于自动化和监测系统中的信号处理。
    - 汽车电子:作为车灯控制系统的组件之一。
    使用建议
    为了最大化DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管的性能,建议:
    - 合理布局:确保在PCB上进行合理的布局,以减小杂散电容和电感的影响。
    - 散热管理:在高功耗环境下,考虑增加散热措施,如使用散热片或散热器,以避免过热问题。
    - 匹配电路参数:根据具体应用需求调整电路参数,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管通常与同一系列的其他电子元器件兼容。此外,制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括数据手册、应用笔记和技术咨询。购买和使用过程中,客户可以访问制造商网站获取更多信息和支援。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    1. 过温保护
    - 问题:由于环境温度过高导致晶体管过热。
    - 解决办法:增加散热措施,如安装散热片或风扇。

    2. 电流过载
    - 问题:晶体管持续工作时超过最大电流限制。
    - 解决办法:检查电路设计,确保电流在安全范围内,并使用合适的电源供应。

    3. 电路不稳定
    - 问题:电路输出不稳定或噪声较大。
    - 解决办法:检查电路连接是否正确,并确保电路中的去耦电容适当。

    总结和推荐


    综合评估
    DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管在设计上充分考虑了实用性与经济性,通过集成的电阻网络显著简化了电路设计,降低了成本,并且在多种应用环境中表现出色。该产品广泛应用于汽车、工业和通信领域,是一款值得信赖的选择。
    推荐使用
    鉴于其优异的设计、性能和适用范围,强烈推荐DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管在各类电子工程项目中使用。无论是新项目的开发还是现有系统的升级,这些晶体管都能提供可靠的性能和经济效益。
    希望本文能够为您提供有关DTC144ED系列双NPN偏置电阻晶体管的详细信息,如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请随时联系我们的技术支持团队。

NSVMUN5213DW1T3G参数

参数
集电极电流 100mA
最大功率耗散 -
集电极截止电流 500nA
VCBO-最大集电极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
配置 -
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMUN5213DW1T3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMUN5213DW1T3G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMUN5213DW1T3G NSVMUN5213DW1T3G数据手册

NSVMUN5213DW1T3G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 0.0482 ¥ 0.4034
20000+ $ 0.0438 ¥ 0.3668
30000+ $ 0.0416 ¥ 0.3481
50000+ $ 0.0391 ¥ 0.3271
70000+ $ 0.0376 ¥ 0.3146
100000+ $ 0.0362 ¥ 0.3025
250000+ $ 0.0333 ¥ 0.2785
库存: 10000
起订量: 10000 增量: 1
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