处理中...

首页  >  产品百科  >  NSV60201LT1G

NSV60201LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 140mV@ 200mA,2A NPN 540mW 8V 100nA 140V 60V 2A SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*940μm
供应商型号: 863-NSV60201LT1G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSV60201LT1G

NSV60201LT1G概述

    # Low VCE(sat) NPN Transistor NSS60201LT1G 技术手册

    产品简介


    NSS60201LT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的低饱和电压(VCE(sat))NPN晶体管,属于 PowerEdge 家族的一部分。该器件采用表面贴装封装(SOT-23),设计用于低电压、高速开关应用,特别是在便携式和电池供电产品中实现高效的能量控制。典型的应用场景包括直流-直流转换器、便携设备中的电源管理,例如手机、掌上电脑、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器。此外,它们还适用于如硬盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储设备中的低压电机控制,以及汽车领域的气囊部署和仪表盘。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压:60 Vdc
    - 集电极-基极电压:140 Vdc
    - 发射极-基极电压:8.0 Vdc
    - 连续集电极电流:2.0 A
    - 峰值集电极电流:4.0 A
    - 人体模型静电放电:Class 3B
    - 机器模型静电放电:Class C
    - 热特性
    - 最大总功耗(25°C时)
    - TA = 25°C:460 mW
    - 25°C以上每增加1°C减少:3.7 mW/°C
    - 热阻(结到环境)
    - TA = 25°C:270 °C/W
    - 单脉冲(< 10 秒内)
    - 最大总功耗:710 mW
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - DC 电流增益:(IC = 10 mA, VCE = 2.0 V)160 至 350
    - 饱和电压:(IC = 0.1 A, IB = 0.010 A)0.020 V
    - 开启电压:(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)0.760 V 至 0.900 V
    - 闸控频率:(IC = 100 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz)100 MHz

    产品特点和优势


    NSS60201LT1G 的高电流增益使其可以直接从 PMU(电源管理单元)的控制输出端驱动,适合用作模拟放大器中的关键组件。此外,它具有超低饱和电压和高电流增益能力,使得其特别适合于高效能的开关应用中,如电源管理和电机控制。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:这款晶体管广泛应用于移动通信设备(如手机)、计算机外设(如打印机)和车载系统(如气囊部署)。具体应用场景还包括便携式音乐播放器和硬盘驱动器中的电机控制。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,请注意降低功耗以避免过热。
    - 由于其低饱和电压,NSS60201LT1G 可以在高效率转换器中使用,但需确保电路设计充分考虑热管理。
    - 对于高频应用,应注意匹配外围电路,如电容和电阻,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NSS60201LT1G 与标准 SOT-23 封装兼容,适用于多种不同的电路板布局和焊接工艺。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、设计工具和客户支持热线。此外,该产品通过了 AEC-Q101 资格认证,可以用于汽车和其他需要特殊设计和控制要求的应用。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品是否通过 RoHS 认证?
    - 解决方案:是的,NSS60201LT1G 符合 RoHS 规范,并且不含铅、卤素和溴化阻燃剂(BFR Free)。

    - 问题:产品的工作温度范围是多少?
    - 解决方案:NSS60201LT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C。

    总结和推荐


    总体而言,NSS60201LT1G 是一款非常适合现代便携式电子产品和汽车电子系统的高性能晶体管。其超低饱和电压和高电流增益使其成为高效能开关应用的理想选择。如果您正在寻找能够提升产品性能并降低成本的优质晶体管,NSS60201LT1G 是一个值得推荐的选择。对于需要特定设计和控制要求的应用,如汽车应用,NSS60201LT1G 也提供了优秀的解决方案。总的来说,推荐使用此款晶体管。

NSV60201LT1G参数

参数
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 8V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 140mV@ 200mA,2A
最大集电极发射极饱和电压 140mV@ 200mA,2A
VCBO-最大集电极基极电压 140V
集电极电流 2A
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
配置 -
最大功率耗散 540mW
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*940μm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSV60201LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSV60201LT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSV60201LT1G NSV60201LT1G数据手册

NSV60201LT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.644 ¥ 5.4418
10+ $ 0.253 ¥ 2.1379
100+ $ 0.1576 ¥ 1.3313
1000+ $ 0.1393 ¥ 1.1773
3000+ $ 0.1123 ¥ 0.9491
9000+ $ 0.1112 ¥ 0.94
45000+ $ 0.105 ¥ 0.8873
库存: 7773
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.44
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2707.0919
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 200.5286
2N2222AUB ¥ 338.8957