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NSBC144EPDXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 500mW 500nA 50V 100mA SOT-563 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: 863-NSBC144EPDXV6T1G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBC144EPDXV6T1G

NSBC144EPDXV6T1G概述


    产品简介


    产品类型:互补偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)
    主要功能:集成单个晶体管及其外部电阻偏置网络,显著简化电路设计,减少所需组件数量。
    应用领域:广泛应用于汽车及其他需要满足特定站点和控制变更要求的应用中,例如AEC-Q101认证的需求。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压(VCBO):50 Vdc
    - 集电极-发射极电压(VCEO):50 Vdc
    - 集电极电流(IC):100 mAdc
    - 输入正向电压(VIN(fwd)):40 Vdc
    - 输入反向电压(VIN(rev)):10 Vdc
    热特性
    - SOT-363 封装:单个结加热时总功率耗散为187 mW,导热率RJA为670°C/W;双结加热时总功率耗散为250 mW,导热率RJA为493°C/W。
    - SOT-563 封装:单个结加热时总功率耗散为357 mW,导热率RJA为350°C/W;双结加热时总功率耗散为500 mW,导热率RJA为250°C/W。
    - SOT-963 封装:单个结加热时总功率耗散为231 mW,导热率RJA为540°C/W;双结加热时总功率耗散为339 mW,导热率RJA为369°C/W。
    电气特性
    - 断态特性:
    - 集电极-基极截止电流(ICBO):100 nAdc
    - 集电极-发射极截止电流(ICEO):500 nAdc
    - 发射极-基极截止电流(IEBO):0.1 mAdc
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):50 Vdc
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):50 Vdc
    - 通态特性:
    - 直流电流增益(hFE):80 至 140
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.25 V
    - 输入电压(关态)(Vi(off)):1.2 Vdc
    - 输入电压(开态)(Vi(on)):1.9 至 2.0 Vdc
    - 输出电压(开态)(VOL):0.2 Vdc
    - 输出电压(关态)(VOH):4.9 Vdc

    产品特点和优势


    产品特点
    - 集成化设计:将单个晶体管及其外部电阻偏置网络集成到一个封装中。
    - 简化电路设计:无需额外的外置电阻。
    - 减少板空间和组件:显著降低系统成本。
    市场竞争力
    - 符合AEC-Q101标准,适合汽车及其他严格需求的应用。
    - Pb-Free、Halogen Free/BFR Free及RoHS合规,符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子控制系统:集成于车身控制模块或引擎管理系统。
    - 通用电子设备:如工业自动化设备中的传感器接口模块。
    使用建议
    - 由于高导热率,使用时需确保良好的散热设计。
    - 针对不同温度条件,合理选择封装类型,如SOT-563更适合需要较高功率的应用。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 这些设备可以与同类封装下的其他电子元器件兼容,具体参见订购信息中的包装尺寸和规格。
    支持
    - 厂商提供技术支持,包括产品选型指南、设计参考资料等。
    - 配套文档包括详细的封装和引脚分配信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 散热问题:高功率运行下器件过热。
    - 解决方法:使用合适的散热片或散热管,确保良好空气流通。
    2. 焊接问题:焊点质量问题导致性能下降。
    - 解决方法:严格按照焊接工艺进行,避免过高的焊接温度或时间。
    3. 安装位置错误:导致接触不良。
    - 解决方法:正确识别并安装器件,参照厂商提供的图纸。

    总结和推荐


    综合评估
    - 该系列产品在集成度、成本节约方面表现优异,非常适合用于需要紧凑设计的场合,尤其是汽车和工业自动化领域。
    - 高可靠性和稳定性使其适用于要求严格的环境,但需要注意适当散热设计以保证长期可靠性。
    推荐使用
    - 强烈推荐给需要高性能、低成本且环境适应性强的电子设计工程师。

NSBC144EPDXV6T1G参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 500nA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
集电极电流 100mA
最大功率耗散 500mW
VCBO-最大集电极基极电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSBC144EPDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC144EPDXV6T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSBC144EPDXV6T1G NSBC144EPDXV6T1G数据手册

NSBC144EPDXV6T1G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.3795 ¥ 3.2068
10+ $ 0.2392 ¥ 2.0212
100+ $ 0.1035 ¥ 0.8746
1000+ $ 0.0803 ¥ 0.6785
4000+ $ 0.068 ¥ 0.5749
8000+ $ 0.0605 ¥ 0.5111
24000+ $ 0.0546 ¥ 0.4614
100000+ $ 0.0515 ¥ 0.4348
库存: 3430
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