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NSBC114TPDXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 500mW 500nA 50V 100mA SOT-563 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: FL-NSBC114TPDXV6T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBC114TPDXV6T1G

NSBC114TPDXV6T1G概述

    NSBC114EPDXV6T1G, NSVBC114EPDXV6T1G 系列双偏置电阻晶体管

    产品简介


    NSBC114EPDXV6T1G 和 NSVBC114EPDXV6T1G 系列是来自 ON Semiconductor 的双偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)。这些器件集成了 NPN 和 PNP 晶体管及其相应的外部偏置网络电阻,以简化电路设计。它们适用于低功耗表面贴装应用,尤其适合空间受限的设计。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术规格和电气特性:
    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50 Vdc
    - 集电极电流:IC = 100 mA
    - 结温范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +150°C
    - 热特性:
    - 单结加热:总器件耗散 PD = 357 mW
    - 热阻 RJA = 350 °C/W
    - 双结加热:总器件耗散 PD = 500 mW
    - 热阻 RJA = 250 °C/W
    - 电气特性:
    - 输出电压(导通状态):VOL ≤ 0.2 Vdc
    - 输出电压(截止状态):VOH ≥ 4.9 Vdc
    - 输入电阻:R1 变化范围广泛,具体值根据型号而定
    - 增益:hFE 范围为 3.0 到 350,具体取决于型号和温度

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:集成的电阻网络减少了外部元件的数量,提高了电路的可靠性和可维护性。
    - 节省板空间:紧凑的 SOT-563 封装使其成为空间受限应用的理想选择。
    - 减少组件数量:单个器件代替传统分立元件,降低了成本和组装难度。
    - AEC-Q101 认证:适用于汽车及其他需要特殊标识的应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 汽车电子控制单元(ECU)
    - 工业自动化设备
    - 通信设备
    - 消费电子产品
    - 使用建议:
    - 在设计时需注意器件的散热管理,避免长时间超过推荐的工作条件。
    - 根据具体应用需求选择合适的电阻值配置(R1 和 R2),以优化性能和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该系列产品在多种低功耗应用中具有广泛的兼容性,可与其他标准表面贴装工艺兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供全面的技术文档和支持服务,包括详尽的规格书和技术资料下载。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:器件过热。
    - 解决方案:检查散热措施,确保符合热设计规范。
    - 问题 2:输出电压不符合预期。
    - 解决方案:确认输入电压和负载电阻设置正确,检查是否有外部干扰。
    - 问题 3:器件损坏。
    - 解决方案:验证是否在规定的最大额定值内工作,如有异常请参考手册进行故障排查。

    总结和推荐


    NSBC114EPDXV6T1G 和 NSVBC114EPDXV6T1G 系列双偏置电阻晶体管是一款高性能、高可靠性的电子元件,特别适用于空间有限且对可靠性和效率有高要求的应用。由于其简化设计、减少组件数量的特点,这些器件在各类电子产品中都有广泛的应用前景。总体来说,这是一款值得推荐的产品。

NSBC114TPDXV6T1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大功率耗散 500mW
集电极电流 100mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
配置
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSBC114TPDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC114TPDXV6T1G数据手册

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NSBC114TPDXV6T1G封装设计

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