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2N3019

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 500mV@ 500mA,50mA NPN 800mW 7V 10nA 140V 80V 1A
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) 2N3019

2N3019概述

    2N3019, 2N3019S, 2N3700 NPN Small Signal Transistors

    1. 产品简介


    2N3019, 2N3019S, 2N3700 是一种小型信号NPN晶体管,主要应用于开关和放大电路中。它们具有高可靠性和稳定性,被广泛用于通信设备、音频放大器、电源管理和各种嵌入式系统中。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压(VCEO):80 Vdc
    - 集电极-基极电压(VCBO):140 Vdc
    - 发射极-基极电压(VEBO):7.0 Vdc
    - 连续集电极电流(IC):1.0 A
    - 在TA=25°C时的总功率耗散(PT):800 mW (2N3019, 2N3019S) / 500 mW (2N3700)
    - 在TC=25°C时的总功率耗散(PT):5.0 W (2N3019, 2N3019S) / 1.0 W (2N3700)
    - 工作和存储结温范围(TJ, Tstg):-65°C 至 +200°C
    - 热阻(RθJA):195 °C/W (2N3019, 2N3019S) / 325 °C/W (2N3700)
    - 热阻(RθJC):30 °C/W (2N3019, 2N3019S) / 150 °C/W (2N3700)
    - 电气特性
    - 开关特性:脉冲响应时间(ton + toff)≤ 30 ns
    - 直流增益(hFE):50 到 300
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.2 Vdc (IC = 150 mA, IB = 15 mA) / 0.5 Vdc (IC = 500 mA, IB = 50 mA)
    - 输入电容(Cibo):≤ 60 pF
    - 输出电容(Cobo):≤ 12 pF
    - 噪声系数(NF):≤ 4.0 dB

    3. 产品特点和优势


    - MIL-PRF-19500/391 认证:确保了产品的质量和可靠性。
    - 多种封装选择:包括TO-5、TO-39和TO-18三种封装形式,满足不同应用场景需求。
    - 宽温度范围:工作和存储温度范围为-65°C 至 +200°C,适用于极端环境。
    - 高增益和低噪声:直流增益范围广泛,适合不同应用需求;噪声系数低,保证了信号处理的精度。
    - 优异的热特性:热阻小,散热性能好,有助于提高设备稳定性和延长使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 通信设备:利用其高频特性,在通信系统中作为信号放大器。
    - 音频放大器:高增益和低噪声特性使其成为音频放大器的理想选择。
    - 电源管理:作为开关器件,用于电源管理模块中,实现高效转换。
    使用建议:
    - 在设计电源管理电路时,考虑到功率耗散和散热问题,应合理安排散热片和散热路径。
    - 对于音频放大器应用,由于其良好的噪声抑制能力,可以在前端对信号进行预处理,以进一步提高音质。

    5. 兼容性和支持


    这些晶体管具有广泛的兼容性,可以与其他标准的电子元器件一起使用。制造商ON Semiconductor提供了详细的技术文档和支持,包括数据手册、应用笔记和技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管在高温环境下出现异常
    - 解决方案:检查散热装置是否有效,调整工作环境,或者考虑更换更高热导率的材料。
    - 问题2:晶体管频繁损坏
    - 解决方案:检查外部电路是否有短路或其他故障,避免过载运行。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:高可靠性、高增益、宽工作温度范围、低噪声和优秀的热特性。
    - 缺点:高功耗可能需要额外的散热措施。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,2N3019, 2N3019S, 2N3700 无疑是市场上值得信赖的小型信号NPN晶体管选择。对于需要高性能、稳定性和可靠性的应用,这些产品无疑是理想的选择。

2N3019参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极截止电流 10nA
集电极电流 1A
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
配置 -
晶体管类型 NPN
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 500mA,50mA
VCBO-最大集电极基极电压 140V
最大功率耗散 800mW
最大集电极发射极饱和电压 200mV@ 15mA @ 150mA,500mV@ 50mA @ 500mA
6.6mm(Max)
零件状态 在售
包装方式 散装,托盘

2N3019厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2N3019数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR 2N3019 2N3019数据手册

2N3019封装设计

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