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NSVMUN5214DW1T3G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 385W 500nA 50V 100mA SOT 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: 488-NSVMUN5214DW1T3GCT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMUN5214DW1T3G

NSVMUN5214DW1T3G概述

    双极性晶体管:DTC114YD 技术手册

    产品简介


    DTC114YD 是一款双极性晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT),专门设计用于替代单个晶体管及其外部电阻偏置网络。这款晶体管集成了一对内置电阻,包括一个基极电阻(R1)和一个基极-发射极电阻(R2)。主要技术参数如下:R1 = 10 kΩ,R2 = 47 kΩ。这些器件广泛应用于各种电路设计中,例如数字逻辑电路、信号放大和切换电路等。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO):50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):50 Vdc
    - 集电极电流 (IC):100 mA (连续)
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)):40 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)):6 Vdc
    - 热特性:
    - 一个结点加热时总耗散功率 (TA = 25°C):187 mW
    - 超过 25°C 时的降额 (PD): 256 mW/°C
    - 电气特性:
    - 离散状态下的集电极-基极截止电流 (ICBO):最大 100 nA
    - 离散状态下的集电极-发射极截止电流 (ICEO):最大 500 nA
    - 离散状态下的发射极-基极截止电流 (IEBO):最大 0.2 mA
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO):最小 50 Vdc
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO):最小 50 Vdc
    - 直流电流增益 (hFE):最小 80
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):最大 0.25 V

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:将原本需要多个独立组件实现的功能集成到单个器件中,减少了复杂的布线需求。
    - 减少板面积:体积小,节省电路板空间。
    - 降低组件数量:集成的电阻网络降低了组件数量,从而减少了潜在故障点。
    - 符合标准要求:通过AEC-Q101认证,适用于汽车及其他严格要求的应用场景。
    - 无铅、卤素自由/溴化阻燃剂自由,RoHS合规。

    应用案例和使用建议


    - 数字逻辑电路:在逻辑门电路中,DTC114YD可以用于提高开关速度和减少功耗。
    - 信号放大电路:在需要低噪声、高增益的场合下使用,如音频放大器。
    - 优化方案:在高温环境下使用时应注意散热措施,确保热稳定性。具体应用中可根据热特性曲线调整输入电压以优化性能。

    兼容性和支持


    - DTC114YD支持SOT-363、SOT-563和SOT-963封装。不同封装形式适用于不同的应用场景,用户可根据具体需求选择合适的型号。
    - 厂商提供全面的技术支持和服务,确保用户在使用过程中能够获得帮助和解答疑问。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件的热稳定性如何?
    - 解决方案:根据器件的热特性曲线调整工作条件,保证器件在安全的工作温度范围内运行。

    - 问题:在高温环境下工作,是否有散热需求?
    - 解决方案:适当增加散热片或其他散热措施,确保热稳定性。

    总结和推荐


    DTC114YD系列晶体管具有紧凑的封装、卓越的性能以及出色的电气特性,适用于多种电路设计需求。其集成的电阻网络极大简化了电路设计,并有效节省了空间。综合考虑性能、成本和适用性,强烈推荐在数字逻辑电路、信号处理及电源管理等领域采用DTC114YD系列晶体管。通过充分了解其特性并采取适当的散热措施,用户可以充分发挥其潜力,满足复杂的应用需求。

NSVMUN5214DW1T3G参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最大功率耗散 385W
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
配置 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 100mA
集电极截止电流 500nA
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMUN5214DW1T3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMUN5214DW1T3G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMUN5214DW1T3G NSVMUN5214DW1T3G数据手册

NSVMUN5214DW1T3G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.3105 ¥ 2.6237
10+ $ 0.1782 ¥ 1.5058
500+ $ 0.0818 ¥ 0.6908
1000+ $ 0.0696 ¥ 0.5821
2000+ $ 0.0618 ¥ 0.5173
5000+ $ 0.0534 ¥ 0.447
库存: 9725
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