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NSVB1706DMW5T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 385mW 500nA 50V 100mA SC-88A 贴片安装
供应商型号: CY-NSVB1706DMW5T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G概述


    产品简介


    NSB1706DMW5T1G, NSVB1706DMW5T1G 双偏置电阻晶体管
    NSB1706DMW5T1G 和 NSVB1706DMW5T1G 是 ON Semiconductor 生产的双偏置电阻晶体管(Dual Bias Resistor Transistor, BRT)。这些器件集成了单个晶体管及其偏置电阻网络,用于低功耗表面贴装应用,特别适用于需要高集成度和节省板空间的应用场合。BRT 通过将晶体管和外部偏置电阻网络整合到一个封装中,大大简化了电路设计并减少了组件数量。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 集电极电流 (IC): 100 mA
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 单个结加热:256 mW (TA = 25°C),2.0 mW/°C
    - 两个结加热:385 mW (TA = 25°C),3.0 mW/°C
    - 热阻:
    - 单个结加热:RJA = 493 °C/W
    - 两个结加热:RJA = 325 °C/W
    - 热阻,结到引脚 (RJL):188 °C/W (单个结加热),208 °C/W (两个结加热)
    - 结温 (TJ, Tstg):-55 to +150 °C
    - 电气特性
    - 关断特性:
    - 集电极-基极截止电流 (VCB = 50 V, IE = 0): ICBO ≤ 100 nAdc
    - 集电极-发射极截止电流 (VCE = 50 V, IB = 0): ICEO ≤ 500 nAdc
    - 发射极-基极截止电流 (VEB = 6.0 V, IC = 0): IEBO ≤ 0.18 mAdc
    - 开启特性:
    - DC电流增益 (VCE = 10 V, IC = 5.0 mA): hFE = 80 - 200
    - 集电极-发射极饱和电压 (IC = 10 mA, IB = 1 mA): VCE(sat) ≤ 0.25 Vdc
    - 输入电压 (off): Vi(off) ≤ 0.5 Vdc
    - 输入电压 (on): Vi(on) ≥ 0.9 Vdc
    - 输出电压 (on): VOL ≤ 0.2 Vdc
    - 输出电压 (off): VOH ≥ 4.9 Vdc
    - 输入电阻 (R1): 3.3 kΩ - 6.1 kΩ
    - 电阻比 (R1/R2): 0.055 - 0.185

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:内置偏置电阻网络,省去了外部电阻和分立元器件的设计步骤,极大地简化了电路设计。
    - 减少板空间:采用 SC-88A 封装,适合空间有限的 PCB 设计。
    - 减少组件数量:单个封装内集成晶体管和偏置电阻,减少物料清单上的元器件种类和数量。
    - 环保材料:无铅、卤素自由/溴化物自由、RoHS 合规,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车电子:电源管理和控制单元
    - 消费电子:音响系统、遥控器
    - 工业自动化:传感器接口和信号放大器
    使用建议:
    - 确保输入电压在指定范围内,避免过压造成损坏。
    - 在高温环境下使用时,注意热管理,使用散热片或增加散热空间。
    - 为了获得最佳性能,选择合适的输入电阻值和电阻比,以满足具体应用需求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NSB1706DMW5T1G 和 NSVB1706DMW5T1G 均采用标准 SC-88A 封装,与市场上大多数 SMD 设备兼容。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和丰富的在线资源,用户可以访问官方网站下载技术资料和联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:电路设计时发现电流不稳定。
    - 解决办法:检查输入电压和电阻值,确保其符合电气特性参数范围。
    2. 问题:温度过高导致器件性能下降。
    - 解决办法:增加散热措施,如使用散热片或风扇。
    3. 问题:输入电压超过规定范围。
    - 解决办法:重新检查电源电路设计,确保输入电压稳定在规定范围内。

    总结和推荐


    NSB1706DMW5T1G 和 NSVB1706DMW5T1G 的独特功能使其成为高集成度和紧凑设计的理想选择。其出色的电气特性和高可靠性,使得它们在多种应用中表现出色。虽然初始成本可能略高于普通分立元器件,但长远来看,其简化设计和提高生产效率的优势明显。强烈推荐给寻求高效、紧凑和高性能解决方案的设计工程师们。
    对于需要低功耗、高集成度和空间敏感型应用的项目,这些产品无疑是理想的选择。

NSVB1706DMW5T1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 500nA
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 385mW
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 0.25@ 1mA,10mA
配置 -
通用封装 SC-88A
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVB1706DMW5T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVB1706DMW5T1G数据手册

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NSVB1706DMW5T1G封装设计

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