处理中...

首页  >  产品百科  >  NSS1C301ET4G

NSS1C301ET4G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300mA,3A NPN 2.1W 6V 100nA 140V 100V 3A DPAK 贴片安装
供应商型号: AV-S-ONSNSS1C301ET4G
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSS1C301ET4G

NSS1C301ET4G概述

    电子元器件产品技术手册:NSS1C301ET4G

    产品简介


    NSS1C301ET4G 是来自安森美半导体(onsemi)的 e2PowerEdge 系列低压饱和电压(VCE(sat))晶体管。这是一种表面贴装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力。这些特性使其非常适合用于低电压、高速开关应用,特别是在需要高效能源控制的应用中。典型应用包括 DC-DC 转换器、便携式和电池供电设备(如手机、个人数字助理(PDA)、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器)中的电源管理。其他应用还包括大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低电压电机控制。在汽车行业中,它可以应用于安全气囊部署和仪表盘。

    技术参数


    - 集电极-基极击穿电压(VCBO):140 Vdc
    - 集电极-发射极击穿电压(VCEO):100 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压(VEBO):6.0 Vdc
    - 集电极连续电流(IC):3.0 A
    - 基极电流(IB):0.5 A
    - 最大耗散功率(PD):
    - 在 25°C 时:33 W
    - 每升高 1°C 减少 0.26 W
    - 热阻:
    - 结至外壳热阻(RJC):3.8°C/W
    - 结至环境热阻(RJA):59.5°C/W
    - 操作和存储结温范围:-65°C 至 +150°C
    - 关断状态:
    - 集电极截止电流(ICBO):≤ 0.1 μA
    - 发射极截止电流(IEBO):≤ 0.1 μA
    - 开启状态:
    - 直流电流增益(hFE):
    - IC = 0.1 A,VCE = 2.0 V:≥ 200
    - IC = 1.0 A,VCE = 2.0 V:≥ 120
    - IC = 3.0 A,VCE = 2.0 V:≥ 80
    - 饱和电压:
    - IC = 3.0 A,IB = 0.300 A:≤ 0.250 V
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):≤ 1.0 V
    - 基极-发射极开启电压(VBE(on)):≤ 0.90 V
    - 截止频率(fT):≥ 120 MHz

    产品特点和优势


    - 补充 NSS1C300ET4G
    - 具有独特的现场和控制变更要求,符合 AEC-Q101 标准并具备 PPAP 能力
    - 铅(Pb)-Free 并且 RoHS 合规
    - 高电流增益允许直接由 PMU 控制输出驱动,适合模拟放大器应用

    应用案例和使用建议


    - 典型应用包括便携式和电池供电设备的电源管理和低电压电机控制
    - 在汽车应用中,可用于安全气囊部署和仪表盘
    - 使用建议:
    - 为避免过热损坏,确保散热良好,特别是在高电流应用中
    - 考虑到高频率工作,确保电路设计考虑了电容效应

    兼容性和支持


    - 该产品与同类电子元器件和设备具有良好的兼容性
    - 安森美半导体提供技术支持和维护服务,用户可以通过官方网站和技术文献库获取更多帮助

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:过热损坏
    - 解决方案:确保良好的散热设计,选择合适的散热器并注意应用中的电流限制
    - 问题 2:电流增益不足
    - 解决方案:检查电源电压和驱动电路,确保有足够的基极驱动电流
    - 问题 3:饱和电压过高
    - 解决方案:优化电路设计,增加基极驱动电流或降低集电极电流

    总结和推荐


    NSS1C301ET4G 是一款高性能的 NPN 低压饱和电压晶体管,适用于多种应用,特别是在便携式和电池供电设备中。它的低饱和电压和高电流增益使其成为理想的选择。此外,该产品的 AEC-Q101 认证使其在汽车应用中表现出色。总体而言,我们推荐使用 NSS1C301ET4G,特别是对电源管理和高效能源控制有需求的应用场合。

NSS1C301ET4G参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 6V
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
配置 独立式
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300mA,3A
集电极截止电流 100nA
最大功率耗散 2.1W
集电极电流 3A
VCBO-最大集电极基极电压 140V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300mA,3A
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSS1C301ET4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSS1C301ET4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSS1C301ET4G NSS1C301ET4G数据手册

NSS1C301ET4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.2342 ¥ 2.0727
7500+ $ 0.2321 ¥ 2.0542
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 5181.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2707.0919
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 200.5286
2N2222AUB ¥ 299.5964