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NSVT65010MW6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 650mV@ 5mA,100mA 2 PNP (Dual) 380mW 5V 15nA 80V 65V 100mA SOT-363-6 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: CY-NSVT65010MW6T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVT65010MW6T1G

NSVT65010MW6T1G概述

    NST65010MW6 双匹配通用晶体管技术手册

    1. 产品简介


    NST65010MW6是一款双匹配通用晶体管,属于PNP匹配对,封装为超小型SOT-363封装,特别适合便携式电子产品。这种晶体管经过装配后能够实现所有参数的高度匹配,从而消除了昂贵的校准需求。应用领域广泛,包括电流镜、差分放大器、感测放大器、平衡放大器、混频器、探测器及限制器。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压:VCEO = -65V
    - 集电极-基极电压:VCBO = -80V
    - 发射极-基极电压:VEBO = -5.0V
    - 集电极连续电流:IC = -100mA(直流)
    - 热特性:
    - 每个设备的最大耗散功率:PD = 380mW(TA=25°C),每度温度上升减小250mW
    - 结到环境的热阻:RθJA = 328°C/W
    - 工作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55°C至+150°C
    - 电气特性:
    - 关断特性:
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = -65V
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO = -80V
    - 开启特性:
    - 直流电流增益:hFE = 150至475
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) = -0.9V 至 -2.0V
    - 小信号特性:
    - 电流增益-带宽乘积:fT = 100MHz
    - 输出电容:Cob = 4.5pF

    3. 产品特点和优势


    - 电流增益匹配精度高达10%
    - 基极-发射极电压匹配精度≤2mV
    - 可以直接替换标准器件
    - NSV前缀适用于汽车及其他要求独特场地和控制变更的应用
    - 符合无铅、无卤素、BFR-Free和RoHS标准

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电流镜:用于精确电流复制,适用于精密电路设计。
    - 差分放大器:提供高增益和低噪声特性。
    - 混频器和探测器:适用于无线通信系统中的频率转换和信号检测。
    使用建议:
    - 在高电压应用中应注意散热管理,以避免过热导致的性能下降。
    - 在低温环境中使用时,应检查数据表中提供的温度系数来调整应用电路。

    5. 兼容性和支持


    - 互补型NPN等效型号:NST65011MW6T1G,方便构建全桥或互补电路。
    - 制造商支持:
    - 该产品已通过AEC-Q101认证,适用于汽车级应用。
    - 提供PPAP生产件批准程序,确保产品质量一致性。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致性能下降。
    - 解决办法:使用散热片或改进散热设计,确保工作环境温度低于最大额定值。

    - 问题2:电流增益不匹配。
    - 解决办法:确保正确连接,且使用相同批次的产品,以获得最佳匹配效果。

    7. 总结和推荐


    NST65010MW6是一款高度集成、多功能的PNP匹配晶体管,特别适合便携式设备和高性能应用。凭借其出色的电流增益匹配精度、高可靠性及广泛应用领域的适应性,这款产品值得推荐。此外,制造商提供的强大支持体系也为其在市场的推广提供了坚实保障。因此,推荐在精密电路设计和高要求应用中使用NST65010MW6。

NSVT65010MW6T1G参数

参数
集电极电流 100mA
晶体管类型 2 PNP (Dual)
最大功率耗散 380mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 65V
最大集电极发射极饱和电压 650mV@ 5mA,100mA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
配置
集电极截止电流 15nA
VCBO-最大集电极基极电压 80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 650mV@ 5mA,100mA
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-363-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVT65010MW6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVT65010MW6T1G数据手册

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NSVT65010MW6T1G封装设计

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