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NSVBC846BM3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 600mV@ 5mA,100mA NPN 640mW 6V 15nA 80V 65V 100mA SOT-723 贴片安装 1.2mm*800μm*500μm
供应商型号: 2724373
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVBC846BM3T5G

NSVBC846BM3T5G概述

    BC846BM3T5G 和 NSVBC846BM3T5G 通用晶体管技术手册

    产品简介


    BC846BM3T5G 和 NSVBC846BM3T5G 是来自 ON Semiconductor 的通用 NPN 硅基晶体管。它们具有多种功能,适用于广泛的电子设备和系统中。这些晶体管特别适合用于开关电源、信号放大、驱动器电路和传感器接口等场合。

    技术参数


    以下列出了 BC846BM3T5G 和 NSVBC846BM3T5G 的主要技术规格和电气特性:
    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 65 Vdc
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 80 Vdc
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \): 6.0 Vdc
    - 集电极电流(连续) \( IC \): 100 mA
    - 热特性:
    - 总功耗(FR-5 板):\( PD \): 265 mW(\( TA = 25°C \))
    - 总功耗(氧化铝基板):\( PD \): 640 mW(\( TA = 25°C \))
    - 工作温度范围:
    - 结温和存储温度范围:\( TJ, T{stg} \): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 电流增益(\( IC = 10 \mu A, V{CE} = 5.0 V \)):\( h{FE} \): 200
    - 集电极-发射极饱和电压(\( IC = 10 mA, IB = 0.5 mA \)):\( V{CE(sat)} \): 0.25 V
    - 基极-发射极饱和电压(\( IC = 10 mA, IB = 0.5 mA \)):\( V{BE(sat)} \): 0.7 V
    - 基极-发射极“导通”电压(\( IC = 1.0 mA, V{CE} = 5.0 V \)):\( V{BE(on)} \): 645 mV

    产品特点和优势


    - 低漏电流:当集电极-基极电压为 30 V 时,漏电流低至 15 nA,确保高可靠性。
    - 高电流增益:在不同电流条件下的电流增益(\( h{FE} \))可高达 450,适用于各种应用。
    - 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的宽工作温度范围,增强其在极端环境中的适用性。
    - 无铅设计:符合环保要求,采用无铅材料制造,保证产品质量和安全性。

    应用案例和使用建议


    BC846BM3T5G 和 NSVBC846BM3T5G 在多种应用中表现出色,例如:
    - 开关电源:提供稳定的电流输出和低饱和电压,提高电源效率。
    - 信号放大:出色的电流增益和低噪声特性使其适用于音频和通信设备。
    - 驱动器电路:快速开关特性和宽工作温度范围确保其在电机控制和传感器接口中的可靠表现。
    使用建议:
    - 在高电流应用中选择合适的散热措施,避免过热。
    - 注意正确的引脚布局和焊点位置,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数标准电路板布局,但需确保符合相关行业标准。
    - 支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和应用指导,可通过技术支持热线和官方网站获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 晶体管发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否足够,增加散热片或优化散热路径。
    2. 电流增益下降
    - 解决方案:检查工作条件是否超出额定范围,调整输入电流或更换符合要求的产品。
    3. 噪声水平较高
    - 解决方案:使用屏蔽线缆和合理的接地方式,降低外部干扰。

    总结和推荐


    BC846BM3T5G 和 NSVBC846BM3T5G 是高性能、高可靠性的通用晶体管,适用于多种工业和消费电子应用。其出色的电气特性和宽泛的工作温度范围使其成为设计工程师的理想选择。强烈推荐在需要高电流增益和宽温度范围的应用中使用这些产品。

NSVBC846BM3T5G参数

参数
最大功率耗散 640mW
VCBO-最大集电极基极电压 80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 600mV@ 5mA,100mA
集电极截止电流 15nA
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 600mV@ 5mA,100mA
配置 独立式
VCEO-集电极-发射极最大电压 65V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
晶体管类型 NPN
长*宽*高 1.2mm*800μm*500μm
通用封装 SOT-723
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVBC846BM3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVBC846BM3T5G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G数据手册

NSVBC846BM3T5G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4904
100+ ¥ 0.3715
1000+ ¥ 0.3566
2500+ ¥ 0.3329
8000+ ¥ 0.3269
24000+ ¥ 0.321
48000+ ¥ 0.321
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