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NSBC124EDXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 500mW 500nA 50V 100mA SOT-563 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: FL-NSBC124EDXV6T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBC124EDXV6T1G

NSBC124EDXV6T1G概述


    产品简介


    DTC124ED/D, MUN5212DW1, NSBC124EDXV6, NSBC124EDP6
    这些产品是双NPN偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistors, BRT),集成有内部电阻网络,主要由两个电阻(基极串联电阻和基极-发射极电阻)组成。BRT的设计目的是替代单个设备及其外部电阻偏置网络,从而简化电路设计,减少板级空间并降低成本。这些器件适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用,符合AEC-Q101标准并具备PPAP能力。此外,这些产品无铅、无卤素、无溴化阻燃剂(BFR Free),并且符合RoHS标准。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 集电极电流 (连续): 100 mAdc
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 40 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 10 Vdc
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    电气特性
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): - 100 nAdc
    - 集电极-发射极截止电流 (ICEO): - 500 nAdc
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): - 0.2 mAdc
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 50 Vdc
    - 直流电流增益 (hFE): 60 - 100
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.25 V
    - 输入电压(关闭) (Vi(off)): - 1.2 Vdc
    - 输入电压(开启) (Vi(on)): - 1.9 Vdc
    - 输出电压(开启) (VOL): - 0.2 Vdc
    - 输出电压(关闭) (VOH): 4.9 Vdc

    产品特点和优势


    1. 简化电路设计:通过将多个组件整合到一个设备中,减少布线和设计复杂度。
    2. 减少板级空间:相比传统的分离式器件,节省更多空间,适用于紧凑型应用。
    3. 减少组件数量:减少外部电阻的需求,降低系统整体成本。
    4. 适合汽车应用:符合AEC-Q101标准,并具备PPAP能力,确保可靠性。
    5. 环保材料:无铅、无卤素、无BFR,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    这些产品广泛应用于需要高可靠性且具有较小板级空间的场合,如汽车电子、工业自动化和消费电子产品。例如,在车载控制系统中,可以作为传感器信号放大器,或者在工业自动化系统中作为信号隔离和驱动设备。
    使用建议:
    - 确保在设计阶段充分考虑散热需求,以避免过热问题。
    - 使用适当的电源电压和输入信号,以确保最佳性能。
    - 在高温环境下使用时,应注意监测器件温度,以确保长期稳定性。

    兼容性和支持


    这些器件与其他通用电子元器件兼容,可用于多种封装形式,包括SOT-363、SOT-563和SOT-963。厂商提供详细的订购信息和技术支持文档,帮助客户在选型和使用过程中遇到问题时获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度范围较窄,导致温度异常
    - 解决方案:确保器件在规定的温度范围内工作,并适当增加散热措施,如散热片或风扇。

    2. 问题:电路噪声较大,影响信号传输
    - 解决方案:检查电源线路的滤波情况,使用合适的旁路电容,并确保信号线路接地良好。
    3. 问题:输出信号不稳定
    - 解决方案:确认输入信号稳定,且满足器件的最小和最大输入电压要求;检查负载电阻的设置。

    总结和推荐


    总体来看,DTC124ED/D, MUN5212DW1, NSBC124EDXV6, NSBC124EDP6在性能、可靠性及应用灵活性方面表现出色,非常适合用于需要高效、紧凑、低成本设计的应用。强烈推荐这些产品,尤其是对于对环境友好性有严格要求的行业领域。如果需要进一步的技术支持或定制服务,建议直接联系制造商获取详细信息。

NSBC124EDXV6T1G参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极电流 100mA
配置
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 500nA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
最大功率耗散 500mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBC124EDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC124EDXV6T1G数据手册

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NSBC124EDXV6T1G封装设计

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