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NSBA123EDXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 357mW 500nA 50V 100mA SOT-563 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: FL-NSBA123EDXV6T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G概述


    产品简介


    Dual PNP Bias Resistor Transistors
    Dual PNP Bias Resistor Transistors(MUN5131DW1 和 NSBA123EDXV6)是一种集成了两个电阻网络的双PNP晶体管。它们旨在替代单个设备及其外部电阻偏置网络,从而简化电路设计,减少板级空间占用并降低组件数量。这些器件广泛应用于汽车和其他需要特定场地和控制变更要求的应用领域,且符合AEC-Q101标准。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50 V
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50 V
    - 集电极电流:IC = 100 mA
    - 输入正向电压:VIN(fwd) = 12 V
    - 输入反向电压:VIN(rev) = 10 V
    - 热特性
    - 结温范围:TJ, Tstg = -55°C 到 +150°C
    - 热阻抗:RJA = 490°C/W (SOT-363),RJA = 250°C/W (SOT-563)
    - 电气特性
    - 截止电流:ICBO = 100 nA,ICEO = 500 nA,IEBO = 2.3 mA
    - 电流增益:hFE = 8.0 到 15.0
    - 发射极-基极击穿电压:V(BR)CBO = 50 V
    - 发射极-集电极击穿电压:V(BR)CEO = 50 V
    - 输出电压(导通):VOL = 0.2 V
    - 输出电压(截止):VOH = 4.9 V
    - 输入电阻:R1 = 2.2 kΩ
    - 电阻比:R1/R2 = 1.0

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:将外部电阻网络集成到单个设备中,减少了元件数量和布局复杂性。
    - 减少板级空间:适合紧凑设计的电路板。
    - 提高可靠性:通过集成组件减少外部连接点,从而降低故障率。
    - 环保材料:无铅,无卤素,符合RoHS标准。
    - 适用于多种应用:如汽车和其他高可靠性需求的应用领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    这些器件适用于各种电子设备,如汽车电子系统、消费电子产品和工业自动化设备。例如,在汽车电子系统中,可以用于传感器信号放大和控制系统中。
    使用建议:
    - 在安装过程中应注意焊接温度,避免过高温度损坏设备。
    - 建议使用散热片来帮助散逸热量,特别是在连续高功率应用中。
    - 确保所有引脚正确焊接,以避免短路或接触不良。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准SOT-363和SOT-563封装,可与大多数电路板兼容。
    - 支持:提供详细的技术手册、参考设计和在线技术支持,确保客户能够充分利用这些器件的功能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:焊接时出现虚焊现象。
    - 解决方法:检查焊接温度和时间设置,确保焊接质量;检查是否有助焊剂残留。
    - 问题:输出电压不稳定。
    - 解决方法:检查电源电压是否稳定,确认输入电阻是否合适,检查外部干扰源。
    - 问题:设备发热严重。
    - 解决方法:检查散热措施是否到位,确保工作在推荐的温度范围内。

    总结和推荐


    Dual PNP Bias Resistor Transistors(MUN5131DW1 和 NSBA123EDXV6)是一款功能强大、集成度高的电子元器件。其独特的特点和优势使其成为许多应用领域的理想选择。特别是其在简化电路设计和节省空间方面的表现尤为突出。对于需要高可靠性的场合,这些器件无疑是最佳选择。因此,我强烈推荐使用这些产品。

NSBA123EDXV6T1G参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA,10mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 500nA
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 100mA
最大功率耗散 357mW
晶体管类型 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 散装,卷带包装

NSBA123EDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBA123EDXV6T1G数据手册

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NSBA123EDXV6T1G封装设计

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