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NSVDTA114EM3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA PNP - Pre-Biased 600W 500nA 50V 100mA SOT-723 贴片安装 1.2mm*800μm*500μm
供应商型号: AV-S-ONSNSVDTA114EM3T5G
供应商: Avnet
标准整包数: 8000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVDTA114EM3T5G

NSVDTA114EM3T5G概述

    # 数字晶体管(BRT)技术手册

    产品简介


    数字晶体管(BRT)系列是一种专门设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络的集成电路。这些设备包含一个带有集成偏置网络(由两个电阻组成的单个晶体管)的双极型晶体管。使用这种集成设计可以显著减少系统成本和电路板空间。
    主要产品型号包括:
    - MUN2111
    - MMUN2111L
    - MUN5111
    - DTA114EE
    - DTA114EM3
    - NSBA114EF3
    应用领域广泛,适用于汽车及对现场和控制变化有特定要求的应用场合,已通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最大单位 |
    |
    | 集电极-基极电压 | VCBO | 50 Vdc |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | 50 Vdc |
    | 连续集电极电流 | IC | 100 mAdc|
    | 输入正向电压 | VIN(fwd) | 40 Vdc |
    | 输入反向电压 | VIN(rev) | 10 Vdc |
    电气特性
    | 特性 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    |
    | 偏置状态
    | 集电极-基极截止电流 | ICBO | - | - | 100 | nAdc|
    | 集电极-发射极截止电流 | ICEO | - | - | 500 | nAdc|
    | 发射极-基极截止电流 | IEBO | - | - | 0.5 | mAdc|
    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | 50 | - | - | Vdc |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | 50 | - | - | Vdc |
    | 开启状态
    | 直流电流增益 | hFE | 35 | 60 | - | - |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | - | - | 0.25 | Vdc |
    | 输入电压(关闭状态) | Vi(off) | - | 1.2 | 0.8 | Vdc |
    | 输入电压(开启状态) | Vi(on) | 2.5 | 1.8 | - | Vdc |
    | 输出电压(开启状态) | VOL | - | - | 0.2 | Vdc |
    | 输出电压(关闭状态) | VOH | 4.9 | - | - | Vdc |

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:BRT能够将传统分离组件的功能集成在一个设备内,减少了设计复杂度。
    - 减少电路板空间:集成设计显著缩小了占板面积。
    - 减少元件数量:单个BRT相当于多个独立部件的功能,有助于降低整体物料清单(BOM)。
    - 特殊要求支持:S和NSV前缀的产品满足汽车和对特殊环境要求的应用需求。
    - 环保材料:这些设备不含铅、卤素及溴化阻燃剂,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    这些设备适用于多种应用场景,包括汽车电子、工业控制系统等。具体使用时,根据负载情况调整电源电压和输入信号,以确保最佳性能。例如,在汽车点火系统中,BRT可以用来控制点火线圈的开关。
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,注意散热设计,避免过热损坏。
    2. 确保输入电压和电流在规定范围内,防止器件损坏。

    兼容性和支持


    BRT产品与多种封装形式兼容,如SC-75、SOT-23等。厂商提供了丰富的技术支持文档,并能提供PPAP(生产件批准程序)服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. Q: 设备启动延迟如何处理?
    - A: 调整输入电压至适当范围,或者增加外围电阻值来优化驱动性能。
    2. Q: 在高湿度环境下工作稳定性差怎么办?
    - A: 添加额外的保护层(如防水涂层)以增强防潮效果。

    总结和推荐


    该数字晶体管(BRT)系列产品凭借其独特的设计理念和多项技术优势,在提升系统可靠性的同时有效降低了开发成本和难度。特别适合对空间和成本敏感的设计项目。鉴于其出色的性能表现和广泛的适用性,强烈推荐在需要高度集成和高效能的电子设计中使用该系列产品。

NSVDTA114EM3T5G参数

参数
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
最大功率耗散 600W
配置 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
长*宽*高 1.2mm*800μm*500μm
通用封装 SOT-723
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVDTA114EM3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVDTA114EM3T5G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVDTA114EM3T5G NSVDTA114EM3T5G数据手册

NSVDTA114EM3T5G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
8000+ $ 0.0307 ¥ 0.2721
24000+ $ 0.0305 ¥ 0.2697
库存: 32000
起订量: 8000 增量: 8000
交货地:
最小起订量为:8000
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