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NSS12100XV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 440mV@ 100mA,1A PNP 500mW 5V 100nA 12V 12V 1A SOT-563 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: AV-S-ONSNSS12100XV6T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 4000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSS12100XV6T1G

NSS12100XV6T1G概述

    # NSS12100XV6T1G:12V, 1A PNP 低饱和电压晶体管

    产品简介


    ON Semiconductor 的 e2PowerEdge 系列低饱和电压晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力。这些器件专为在低电压、高速开关应用中提供经济高效的能源控制而设计。典型的应用包括 DC-DC 转换器和便携式及电池供电产品的电源管理,如手机、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用还包括用于大容量存储产品的低电压电机控制,例如磁盘驱动器和磁带驱动器。在汽车行业,它们可以用于安全气囊部署和仪表盘。这些器件的高电流增益允许直接由电源管理单元(PMU)的控制输出驱动,线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-发射极电压 (VCEO) | - | -12 | - | Vdc |
    | 集电极-基极电压 (VCBO) | - | -12 | - | Vdc |
    | 发射极-基极电压 (VEBO) | - | -5.0 | - | Vdc |
    | 集电极连续电流 (IC) | - | -1.0 | - | Adc |
    | 基极电流 (IB) | - | -0.1 | - | Adc |
    | 集电极峰值电流 (ICM) | - | -2.0 | - | Adc |
    | 饱和电压 (VCE(sat)) | - | 0.03 | 0.44 | V |
    | 饱和电流增益 (hFE) | 90 | 100 | 200 | - |
    | 输出电容 (Cobo) | - | 20 | - | pF |
    | 输入电容 (Cibo) | - | 50 | - | pF |
    工作环境
    - 结温范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻(Junction-to-Ambient):RθJA(Ta=25°C)= 250°C/W
    - 总耗散功率:PD(Ta=25°C)= 500mW

    产品特点和优势


    特点
    - 高电流能力(1A)
    - 高功率处理(高达 650mW)
    - 低饱和电压(典型值:150mV @ 500mA)
    - 小尺寸
    - 无铅(Pb-Free)
    优势
    - 高电流和功率能力减少所需的PCB面积
    - 减少寄生损耗延长电池寿命

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该器件适用于多种应用,如 DC-DC 转换器、便携式设备的电源管理和汽车电子系统。它特别适合于需要高效率和高可靠性的工作环境,比如手机和便携式电脑的电源管理模块。
    使用建议
    为了确保最佳性能,建议根据实际应用需求调整电路设计,确保正确的电流和电压设置。在高负载情况下,应特别注意散热问题,避免因过热导致器件损坏。具体的设计细节可以参考相应的设计指南和参考手册。

    兼容性和支持


    该器件设计为可与标准 SOT-563 封装兼容,这使得其易于集成到现有的 PCB 设计中。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持,包括详细的电路设计指南、封装和制造信息。如有需要,客户可以通过电话或电子邮件联系技术支持团队获取进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何确定最大额定值?
    解决方案: 查看产品数据表中的“MAXIMUM RATINGS”部分,以获得关于器件的最大电压和电流额定值的信息。
    问题 2:如何选择合适的散热措施?
    解决方案: 确保散热片的设计能够有效散热,建议使用FR-4材料(如铜层厚度为1oz),以提高散热效率并降低热阻。
    问题 3:如何避免静电放电(ESD)损害?
    解决方案: 在处理器件时,务必采取防静电措施,例如使用防静电手环和放置在防静电包装袋中。

    总结和推荐


    综合评估
    NSS12100XV6T1G 是一款高性能的 PNP 低饱和电压晶体管,具有高电流能力和优秀的功率处理能力。其小尺寸和低饱和电压使其非常适合用于便携式和电池供电设备的电源管理系统。总体来看,这款器件的性能稳定可靠,是市场上同类产品中的佼佼者。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛应用潜力,强烈推荐在需要高效率和高可靠性电源管理系统的项目中使用 NSS12100XV6T1G。这款晶体管不仅满足当前应用的需求,还具有良好的未来扩展性,适用于各种高性能应用场合。

NSS12100XV6T1G参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 440mV@ 100mA,1A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 440mV@ 100mA,1A
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
最大功率耗散 500mW
VCBO-最大集电极基极电压 12V
集电极电流 1A
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSS12100XV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSS12100XV6T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSS12100XV6T1G NSS12100XV6T1G数据手册

NSS12100XV6T1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.1333 ¥ 1.18
12000+ $ 0.1321 ¥ 1.1695
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起订量: 4000 增量: 4000
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