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NSVMMUN2114LT3G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA PNP - Pre-Biased 500nA 50V 100mA SOT-23-3,TO-236 贴片安装
供应商型号: FL-NSVMMUN2114LT3G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMMUN2114LT3G

NSVMMUN2114LT3G概述


    产品简介


    本文将介绍一种名为Bias Resistor Transistor(BRT)的电子元器件,它是一种集成了单个晶体管及其外部偏置电阻网络的半导体器件。BRT可以用于替代独立的晶体管及外接电阻网络,从而简化电路设计并减少所需的空间。本产品特别适用于需要高集成度、紧凑设计的应用场景,如通信设备、消费电子产品和汽车电子系统。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO):50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):50 Vdc
    - 集电极电流 (IC):100 mA(连续)
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)):40 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)):6 Vdc
    - 电气特性:
    - 截止电流:ICBO ≤ 100 nA,ICEO ≤ 500 nA,IEBO ≤ 0.2 mA
    - 击穿电压:V(BR)CBO ≥ 50 Vdc,V(BR)CEO ≥ 50 Vdc
    - 电流增益 (hFE):80 至 140
    - 饱和电压 (VCE(sat)):≤ 0.25 Vdc
    - 热特性:
    - 最大功耗 (PD):取决于封装类型,范围从 200 mW 至 600 mW
    - 结到环境热阻 (RJA):取决于封装类型,范围从 205 °C/W 至 618 °C/W
    - 结到引脚热阻 (RJL):取决于封装类型,范围从 174 °C/W 至 332 °C/W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 简化电路设计:通过集成偏置电阻网络,减少了外部组件的数量,使设计更加简单。
    2. 减少板空间:采用小尺寸封装,节省宝贵的板空间。
    3. 提高可靠性:减少外部组件,减少了可能引起故障的风险点。
    4. 汽车和特殊应用:带有S和NSV前缀的产品符合AEC-Q101标准,适合于汽车和其他对环境条件有严格要求的应用。
    5. 环保特性:无铅、无卤素、无溴化阻燃剂,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BRT广泛应用于各种电子设备中,如通信设备中的信号放大器、消费电子产品中的电源管理模块,以及汽车电子系统的控制单元。
    使用建议
    - 在使用BRT时,确保遵守最大额定值的规定,避免超过极限导致设备损坏。
    - 注意热管理,尤其是高功率运行时,使用适当的散热措施以保持结温在安全范围内。
    - 对于特殊应用,如汽车应用,确保选择符合AEC-Q101标准的产品。

    兼容性和支持


    BRT系列产品提供了多种封装形式,如SC-59、SOT-23、SC-70/SOT-323等,可满足不同的应用需求。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指南、设计支持和技术文档等资源。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品过热
    解决方案:增加散热措施,如增加散热片或改善散热路径。
    2. 问题:电流增益不稳定
    解决方案:检查输入信号频率是否过高,如果需要,可尝试降低输入信号频率或增加滤波器。
    3. 问题:输出电压不稳
    解决方案:检查电源电压稳定性,确保电源电压稳定,并适当增加去耦电容。

    总结和推荐


    总体而言,Bias Resistor Transistor(BRT)是一种优秀的电子元器件,它不仅能够简化电路设计,还能够在紧凑的空间内实现高性能。对于需要高集成度、可靠性和紧凑设计的应用,推荐使用BRT。此外,BRT在汽车和其他对环境条件有严格要求的应用中表现卓越,且具备良好的环保特性。我们强烈推荐这款产品给需要这些特性的用户。

NSVMMUN2114LT3G参数

参数
配置 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
集电极电流 100mA
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMMUN2114LT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMMUN2114LT3G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMMUN2114LT3G NSVMMUN2114LT3G数据手册

NSVMMUN2114LT3G封装设计

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