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EMX1DXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 400mV@ 5mA,50mA 2 NPN (Dual) 500mW 7V 500nA 60V 50V 100mA SOT-563 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: 863-EMX1DXV6T1G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) EMX1DXV6T1G

EMX1DXV6T1G概述

    EMX1DXV6T1G 和 EMX1DXV6T5G 双 NPN 通用放大晶体管

    1. 产品简介


    EMX1DXV6T1G 和 EMX1DXV6T5G 是由安森美(onsemi)开发的双 NPN 通用放大晶体管,专为广泛的应用场景设计。这类晶体管主要用于一般性放大电路,在高效率与小尺寸方面表现出色。由于其采用 SOT-563 表面贴装封装形式,这些晶体管非常适合对 PCB 空间要求严格的电路设计,如消费电子、工业控制和通信设备。
    - 产品类型: 双 NPN 通用放大晶体管
    - 主要功能: 高精度信号放大
    - 应用领域: 消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子(需符合 AEC-Q101 标准)

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 封装类型 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563
    | 收集极-基极击穿电压 | - | 60 | - | Vdc |
    | 收集极-发射极击穿电压 | - | 50 | - | Vdc |
    | 发射极-基极击穿电压 | - | 7.0 | - | Vdc |
    | 集电极-发射极饱和电压 | - | - | 0.5 | Vdc |
    | 直流电流增益(hFE) | 120 | - | 560
    | 转换频率 | - | 180 | - | MHz |
    | 温度范围 | -55°C | - | 150°C
    热阻方面:
    - 单个结加热时:最大耗散功率为 357 mW,热阻为 350°C/W
    - 双结加热时:最大耗散功率为 500 mW,热阻为 250°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 减少板级空间: 采用 SOT-563 小尺寸封装,适合紧凑型设计。
    - 高直流增益(hFE): 在典型范围内提供 210–460 的高增益,适用于低噪声放大。
    - 低饱和电压(VCE(sat)): 不超过 0.5 V,适合高效能信号处理。
    - 环保特性: 无铅、无卤化物、符合 RoHS 标准,确保符合全球环保标准。
    - AEC-Q101 认证: 适合汽车及高可靠性需求的特殊应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 消费电子: 在便携式音频设备或传感器接口中实现高效的信号放大。
    - 工业自动化: 用于控制系统的信号放大或驱动模块。
    - 通信设备: 可用于射频放大电路中以增强信号强度。

    使用建议:
    - 确保安装时遵守最小推荐焊盘尺寸,以避免因热膨胀导致焊点开裂。
    - 设计时应充分考虑散热问题,尤其是在满载工作条件下。
    - 若应用于汽车电子,请选择带有 NSV 前缀的产品型号,确保其符合 AEC-Q101 标准。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: EMX1DXV6T1G 和 EMX1DXV6T5G 可与标准表面贴装焊接设备兼容,且支持自动化生产流程。
    - 支持: 安森美提供详细的数据手册和技术文档,并设有专门的技术支持团队,随时解答用户的疑问。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 芯片温度过高 | 优化电路布局并增加散热片 |
    | 输出信号失真 | 调整偏置电阻值 |
    | 运行中出现不稳定现象 | 检查输入信号是否存在噪声或过载 |

    7. 总结和推荐


    EMX1DXV6T1G 和 EMX1DXV6T5G 双 NPN 通用放大晶体管以其紧凑设计、高增益和良好的热管理能力成为市场上备受青睐的电子元件之一。尤其在需要高效能信号处理的场景下表现优异,非常适合消费类电子产品、工业控制和汽车电子等领域。
    综上所述,我们强烈推荐使用此款晶体管,其优良的性能和广泛的适用性使其成为众多工程师的理想选择。

EMX1DXV6T1G参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 60V
晶体管类型 2 NPN (Dual)
最大功率耗散 500mW
最大集电极发射极饱和电压 400mV@ 5mA,50mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极截止电流 500nA
配置
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 400mV@ 5mA,50mA
集电极电流 100mA
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

EMX1DXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

EMX1DXV6T1G数据手册

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EMX1DXV6T1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.276 ¥ 2.3322
10+ $ 0.1829 ¥ 1.5451
100+ $ 0.1139 ¥ 0.962
1000+ $ 0.0891 ¥ 0.7529
4000+ $ 0.0788 ¥ 0.6662
8000+ $ 0.0648 ¥ 0.5476
24000+ $ 0.0588 ¥ 0.4969
48000+ $ 0.0578 ¥ 0.488
100000+ $ 0.0567 ¥ 0.4791
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