处理中...

首页  >  产品百科  >  NSV1C301ET4G

NSV1C301ET4G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: NPN 2.1W 6V 100nA 140V 100V 3A DPAK 贴片安装
供应商型号: UNP-NSV1C301ET4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSV1C301ET4G

NSV1C301ET4G概述


    产品简介


    NPN低饱和电压晶体管(NSS1C301ET4G) 是一款由安森美半导体推出的高性能NPN晶体管,属于e2PowerEdge家族的产品系列。这款晶体管设计用于低电压、高开关速度的应用场景,特别适用于需要高效节能控制的场合。NSS1C301ET4G的主要功能是通过超低的饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力,实现高效的能量转换和控制。它广泛应用于便携式设备和电池供电产品中,如手机、PDA、电脑、打印机、数码相机和MP3播放器等。此外,它还适用于低电压电机控制、存储设备中的磁盘驱动器和磁带驱动器,以及汽车行业的安全气囊部署和仪表盘组件。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压(VCBO):140 Vdc
    - 集电极-发射极电压(VCEO):100 Vdc
    - 发射极-基极电压(VEB):6.0 Vdc
    - 连续集电极电流(IC):3.0 A
    - 峰值集电极电流(ICM):6.0 A
    - 基极电流(IB):0.5 A
    - 总功率耗散(@ TC = 25°C):33 W
    - 总功率耗散(@ TA = 25°C):2.1 W
    - 操作和存储结温范围:-65°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - 开启状态下的直流电流增益(IC = 0.1 A,VCE = 2.0 V):200
    - 饱和状态下的集电极-发射极电压(IC = 1.0 A,IB = 0.1 A):0.050 V
    - 饱和状态下的基极-发射极电压(IC = 1.0 A,IB = 0.1 A):1.0 V
    - 开启状态下的基极-发射极电压(IC = 1.0 A,VCE = 2.0 V):0.90 V
    - 截止频率(IC = 500 mA,VCE = 10 V,f = 100 MHz):120 MHz

    产品特点和优势


    - 低饱和电压:NSS1C301ET4G具有非常低的饱和电压(VCE(sat)),可以显著降低能耗,提高能效。
    - 高电流增益:高电流增益允许直接从PMU(电源管理单元)的控制输出端驱动,减少额外电路的需求。
    - 汽车级标准:NSS1C301ET4G符合AEC-Q101标准,适合用于对可靠性和安全性要求较高的汽车电子产品。
    - 无铅和RoHS合规:无铅和符合RoHS标准,满足环保要求。
    - 温度适应性强:在-65°C到+150°C的温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    - 便携式设备:NSS1C301ET4G非常适合用于便携式设备和电池供电产品,如手机、PDA、笔记本电脑等,因为它能够在低电压和高开关速度下高效运行。
    - 汽车电子:NSS1C301ET4G可用于汽车中的安全气囊系统和仪表盘,其高可靠性能够确保关键系统的正常运行。
    - 低电压电机控制:在需要精确控制的小型电机中,NSS1C301ET4G的低饱和电压和高电流增益能力有助于实现高效稳定的控制。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,避免过热导致损坏。
    - 在应用中尽量保持操作温度在推荐范围内,以充分发挥其性能。
    - 使用合适的保护电路,如限流电阻和过压保护电路,以防止电流冲击和过压损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NSS1C301ET4G具有良好的兼容性,可与多种电源管理单元和其他控制电路配合使用。
    - 支持和服务:安森美半导体提供全面的技术支持,包括详细的使用指南和技术文档,帮助客户顺利集成和调试产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:晶体管出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,适当增加散热片或采用更好的散热方案。
    - 问题:晶体管性能下降。
    - 解决方案:检查连接线路是否完好,确保供电稳定,并遵循推荐的操作条件。
    - 问题:晶体管无法正常启动。
    - 解决方案:检查控制信号是否正确,确认连接线路无误,并验证是否存在外部干扰。

    总结和推荐


    NSS1C301ET4G是一款高性能的NPN低饱和电压晶体管,具有出色的电气特性和广泛的适用性。其低饱和电压、高电流增益能力和优秀的温度适应性使其在众多应用中表现出色。尤其适合便携式设备、电池供电产品和汽车电子等领域。考虑到其卓越的性能和广泛的支持服务,强烈推荐使用NSS1C301ET4G进行相关设计和开发。

NSV1C301ET4G参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
最大集电极发射极饱和电压 0.25@ 300mA,3A
VEBO-最大发射极基极电压 6V
配置 独立式
晶体管类型 NPN
集电极电流 3A
最大功率耗散 2.1W
集电极截止电流 100nA
VCBO-最大集电极基极电压 140V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSV1C301ET4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSV1C301ET4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSV1C301ET4G NSV1C301ET4G数据手册

NSV1C301ET4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.2389 ¥ 2.0189
41977+ $ 0.222 ¥ 1.8759
库存: 41977
起订量: 50 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.01
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886