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KSP13BU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi 达林顿晶体管, NPN三极管, 500 mA, TO-92封装, , 通孔安装, 3引脚
供应商型号: KSP13BU
供应商: 云汉优选
标准整包数: 100
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSP13BU

KSP13BU概述


    产品简介


    KSP13/14 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
    KSP13/14是一种双晶体管,主要用于高电流放大场合。它由两个串联连接的NPN晶体管组成,具有较高的电流增益(hFE)和较低的饱和电压(VCE(sat))。这款达林顿晶体管主要应用于工业自动化、电机控制、电源转换和照明控制等领域。

    技术参数


    以下是KSP13/14的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 集电极-发射极电压 | VCES 30 | V |
    | 集电极-基极电压 | VCBO 30 | V |
    | 发射极-基极电压 | VEBO 10 | V |
    | 集电极电流 | IC 500 | mA |
    | 集电极功率耗散 | PC 625 | mW |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | 1.5 V |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(on) 2.0 V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCES 30 | V |
    | 集电极截止电流 | ICBO 100 | nA |
    | 发射极截止电流 | IEBO 100 | nA |
    | 电流增益 | hFE | 5K 10K
    | 电流增益带宽积 | fT 125 MHz |

    产品特点和优势


    KSP13/14 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor 具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 高电流增益:达到5K到10K的DC电流增益,使其非常适合于需要高放大倍数的应用。
    2. 低饱和电压:VCE(sat)仅为1.5V,这有助于减少功耗和提高效率。
    3. 宽工作温度范围:可在-55°C至150°C的存储温度范围内正常工作,适合恶劣环境下的应用。
    4. 可靠的封装:采用TO-92封装,具有良好的热性能和机械强度。
    这些特性使得KSP13/14在工业控制、电机驱动、照明系统和其他需要高可靠性的场合表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    KSP13/14经常被用于电机控制板中,作为大电流放大器来控制电机的启停。例如,在一个工业自动化生产线中,KSP13/14可以用来驱动小型直流电机,实现精确的速度和位置控制。
    使用建议:
    1. 在使用KSP13/14时,确保散热良好,特别是在高负载情况下,以防止过热损坏。
    2. 选择合适的外围电路元件,如限流电阻,以确保晶体管的工作在安全范围内。
    3. 确保所有电气连接稳定可靠,避免接触不良导致的故障。

    兼容性和支持


    KSP13/14采用TO-92封装,易于安装和更换。该产品广泛兼容其他标准的电子组件和系统。ON Semiconductor提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、技术支持和质量保证。

    常见问题与解决方案


    问题1:晶体管发热严重
    解决方案:检查散热器是否正确安装,并确保良好的热传导路径。必要时增加散热片或使用更大容量的散热器。
    问题2:无法达到预期的电流增益
    解决方案:检查基极电流是否足够,如果基极电流过低,则电流增益会降低。调整基极电阻值以获得合适的基极电流。
    问题3:过早失效
    解决方案:检查输入电压和电流是否超出额定值,避免超过绝对最大额定值。确保电路设计符合规范并进行充分测试。

    总结和推荐


    KSP13/14 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor以其高电流增益、低饱和电压和宽工作温度范围,成为众多高可靠性应用的理想选择。它适用于工业自动化、电机控制和照明系统等场合。尽管产品在使用过程中可能遇到一些问题,但通过适当的预防措施和解决方案,这些问题是可以有效避免的。因此,我们强烈推荐在高电流放大应用中使用KSP14/14。

KSP13BU参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 100µA,100mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.5V@ 100µA,100mA
集电极电流 500mA
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 NPN - Darlington
VEBO-最大发射极基极电压 10V
VCBO-最大集电极基极电压 30V
配置 独立式
最大功率耗散 625mW
5.2mm(Max)
4.19mm(Max)
5.33mm(Max)
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,袋装

KSP13BU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSP13BU数据手册

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KSP13BU封装设计

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