处理中...

首页  >  产品百科  >  2SB1121T-TD-E

2SB1121T-TD-E

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 600mV@ 75mA,1.5A PNP 500mW 6V 100nA 30V 25V 2A SOT 贴片安装
供应商型号: FL-2SB1121T-TD-E
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) 2SB1121T-TD-E

2SB1121T-TD-E概述


    产品简介


    2SB1121是一款NPN双极型晶体管,适用于多种应用领域。主要用途包括电压调节器、继电器驱动、灯泡驱动以及电气设备控制。该晶体管通过采用FBET和MBIT工艺制造,具有低集电极-发射极饱和电压、大电流容量和宽范围的安全工作区(SOA),并且具备快速开关速度和超小尺寸等特点。这些特性使得它易于提供高密度的小型混合集成电路。

    技术参数


    以下是2SB1121的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极到基极电压(VCBO):-30V
    - 集电极到发射极电压(VCEO):-25V
    - 发射极到基极电压(VEBO):-6V
    - 集电极电流(IC):-2A
    - 脉冲集电极电流(ICP):-5A
    - 电气特性:
    - 最小值 (min) | 典型值 (typ) | 最大值 (max)
    - 集电极截止电流(ICBO):-0.1 μA
    - 发射极截止电流(IEBO):-0.1 μA
    - 直流电流增益(hFE1):140 - 400
    - 直流电流增益(hFE2):65
    - 增益-带宽积(fT):150 MHz
    - 输出电容(Cob):32 pF
    - 集电极到发射极饱和电压(VCE(sat)):-0.35 - -0.6 V
    - 基极到发射极饱和电压(VBE(sat)):-0.85 - -1.2 V
    - 集电极到基极击穿电压(V(BR)CBO):-30 V
    - 集电极到发射极击穿电压(V(BR)CEO):-25 V
    - 发射极到基极击穿电压(V(BR)EBO):-6 V
    - 功率耗散(PC):500 mW
    - 结温(Tj):150 °C
    - 存储温度(Tstg):-55 to +150 °C

    产品特点和优势


    2SB1121的主要特点如下:
    - 低饱和电压:能够显著减少功耗,提高效率。
    - 大电流容量:适合需要高电流的应用场合。
    - 宽安全工作区:提高了可靠性,适用于各种工作环境。
    - 快速开关速度:加快电路响应时间,提高系统性能。
    - 超小尺寸:便于安装在紧凑的空间内,非常适合高密度电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SB1121广泛应用于电压调节器、继电器驱动、灯泡驱动及电气设备控制等领域。例如,在电压调节器中,可以利用其低饱和电压特性来降低损耗,从而提高整个系统的能效。
    使用建议
    - 在设计应用电路时,确保所有参数均满足绝对最大额定值,以避免损坏晶体管。
    - 为了保证最佳性能,建议在特定测试电路下进行开关时间的测量,以便确定正确的参数设置。
    - 由于2SB1121具有良好的电气特性,可以考虑在高速开关应用中使用,但需注意其工作温度范围。

    兼容性和支持


    2SB1121封装形式为PCP,符合JEITA、JEDEC标准,具体包括SC-62、SOT-89和TO-243。其最小包装量为每卷1,000个,适合大批量生产和使用。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,有助于客户在应用过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:晶体管过热怎么办?
    - 解决方案:确保散热装置良好,如采用散热片或者热管,保持工作温度在安全范围内。

    - 问题:饱和电压偏高影响电路性能如何解决?
    - 解决方案:检查电路设计是否有优化空间,考虑更换其他型号的晶体管或改进电源管理策略。

    总结和推荐


    总体而言,2SB1121是一款高性能的NPN双极型晶体管,具备多种优良特性,适用于广泛的电子设备中。特别是其低饱和电压、高电流容量和快速开关速度使其在许多应用场景中表现优异。对于寻求高效、可靠电子元器件的用户来说,2SB1121是一个理想的选择。我们强烈推荐这款产品用于高要求的电气控制系统。

2SB1121T-TD-E参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 25V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 600mV@ 75mA,1.5A
集电极电流 2A
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大功率耗散 500mW
VCBO-最大集电极基极电压 30V
最大集电极发射极饱和电压 600mV@ 75mA,1.5A
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SB1121T-TD-E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2SB1121T-TD-E数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR 2SB1121T-TD-E 2SB1121T-TD-E数据手册

2SB1121T-TD-E封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.1746 ¥ 1.4687
库存: 4000
起订量: 3436 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1.46
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01C-TB-E ¥ 0.4112
13001 T ¥ 0.0748
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 202.4755
2N2222AUB ¥ 299.5964
2N2222AUB ¥ 54.6442
2N2222AUB ¥ 0