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NSVMUN5211DW1T3G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 385mW 500nA 50V 100mA SC-88,SOT-363,TSSOP-6 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: 2728023
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMUN5211DW1T3G

NSVMUN5211DW1T3G概述


    产品简介


    DTC114ED/D 是一种专为简化电路设计而设计的双NPN偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)。这些器件通过集成单个晶体管及其外部偏置电阻网络来替代传统设计。每个Bias Resistor Transistor包含一个带有内置两个电阻(串联基极电阻和基极-发射极电阻)的单晶体管。使用Bias Resistor Transistor能够减少系统成本和电路板空间。
    主要功能:DTC114ED/D 系列主要用于取代传统的分立式器件及外部电阻网络,从而实现更简洁高效的电路设计。由于其独特的结构,这些晶体管在多种电子设备中都有广泛应用,尤其适合需要紧凑和高效设计的应用场合。
    应用领域:这些器件广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子和其他需要高可靠性的领域。例如,在汽车传感器和控制器中,它们可以用于信号放大和转换;在消费电子产品中,可用于提高设备的工作效率和可靠性。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 集电极电流 (IC): 100 mAdc
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 40 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 10 Vdc
    - 热阻:(取决于封装类型)
    - SOT-363: 670°C/W (至环境)
    - SOT-563: 350°C/W (至环境)
    - SOT-963: 540°C/W (至环境)
    - 电气特性
    - 偏置电阻 (R1): 10 kΩ
    - 基极-发射极电阻 (R2): 10 kΩ
    - 最大输入电流 (ICBO): 100 nAdc
    - 最大输出电流 (ICEO): 500 nAdc
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.25 V

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:Bias Resistor Transistor将多个分立元件整合为一个器件,显著简化了电路设计过程。
    - 节省空间:由于采用集成化设计,大大减少了电路板上的占用空间。
    - 降低成本:通过减少所需的分立组件数量,降低了系统的整体成本。
    - 符合AEC-Q101标准:对于汽车和其他需要严格质量要求的应用,提供了卓越的可靠性和稳定性。
    - 无铅、无卤素:符合RoHS标准,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例:以汽车传感器为例,Bias Resistor Transistor可以用来放大微弱的传感器信号,确保信号在传输过程中不失真。这种器件的低功耗和小尺寸使其非常适合于便携式电子设备中,如移动电话和可穿戴设备。
    使用建议:在使用DTC114ED/D系列时,需要注意的是,虽然这些器件在高温下也能正常工作,但在极端温度下可能会影响其性能。因此,在高温环境中使用时应考虑进行适当的散热措施。此外,为了保持最佳性能,避免在超过其额定参数的条件下运行。

    兼容性和支持


    兼容性:DTC114ED/D系列的Pin连接方式已经标准化,这使得它们易于与其他标准电子设备接口兼容。具体封装和引脚定义可以在数据手册中找到。
    支持:ON Semiconductor公司为其产品提供了详尽的技术文档和支持服务。如有任何技术问题或需求,可以通过其官方网站获取更多资料和专业支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定器件的最大功率?
    - 解决方案:根据热阻值(RθJA)和器件的最大允许温度差计算得出。参考手册中的热特性章节即可获得准确数值。
    问题2:如果发现器件过热,应采取什么措施?
    - 解决方案:增加散热片或改善电路板的散热设计。也可以调整工作条件以降低功耗。

    总结和推荐


    DTC114ED/D系列Bias Resistor Transistor是一款高性能、易使用的电子元器件。其在简化电路设计、减少组件数量、节省空间和成本方面表现出色。这些特性使它成为众多电子设备的理想选择。对于需要高度集成且可靠性能的设备,特别是那些对环境影响敏感的应用领域,强烈推荐使用DTC114ED/D系列Bias Resistor Transistor。通过遵循手册中的指导并注意一些基本的设计考量,用户可以充分发挥这些器件的潜力,满足各种应用需求。

NSVMUN5211DW1T3G参数

参数
最大功率耗散 385mW
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SC-88,SOT-363,TSSOP-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMUN5211DW1T3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMUN5211DW1T3G数据手册

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NSVMUN5211DW1T3G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4717
10+ ¥ 0.4717
100+ ¥ 0.3717
500+ ¥ 0.3145
10000+ ¥ 0.3145
30000+ ¥ 0.3088
80000+ ¥ 0.3088
150000+ ¥ 0.3088
库存: 7670
起订量: 135 增量: 0
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