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NSVDTC144WET1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 5mA,10mA NPN - Pre-Biased 300W 500nA 50V 100mA SC-75,SOT-416 贴片安装 1.6mm*800μm*750μm
供应商型号: FL-NSVDTC144WET1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVDTC144WET1G

NSVDTC144WET1G概述

    Digital Transistors (BRT): Technical Overview

    1. 产品简介


    产品类型:
    数字晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)是集成化设计的产品,用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。这类器件包含一个带有内置电阻网络的单个晶体管,以简化电路设计并减少组件数量。
    主要功能:
    - 集成化的Bias Resistor网络,包含两个电阻:串联基极电阻和基极-发射极电阻。
    - 通过将这些独立的组件整合到一个设备中,减少系统成本和板空间占用。
    应用领域:
    广泛应用于需要高可靠性的汽车和其他特殊领域,适合于复杂电子系统的集成,如通信设备、工业自动化和消费电子产品等。

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册中的数据整理出的关键技术参数:
    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 集电极-基极电压 | 50 | Vdc |
    | 集电极-发射极电压 | 50 | Vdc |
    | 持续集电极电流 | 100 | mAdc |
    | 输入正向电压 | 40 | Vdc |
    | 输入反向电压 | 10 | Vdc |
    | 功耗随温度变化的降额系数 | 1.8/2.7 | mW/°C |
    | 热阻抗(结到环境) | 540/370 | °C/W |
    | 热阻抗(结到引脚) | 264/287 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 简化电路设计: 内置的电阻网络减少了对外部分立元件的需求,从而简化了整体电路设计。
    - 节省空间: 将多个部件整合为单一设备,大大节省了印刷电路板的空间。
    - 降低组件数量: 集成式设计减少了所需的组件总数,降低了组装和测试成本。
    - 适用于汽车及其他领域: 具备AEC-Q101认证和PPAP能力,符合严格的汽车标准。
    - 无铅、环保: 符合RoHS标准,无铅、无卤素,环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    这类晶体管被广泛应用于复杂电子系统中,例如工业自动化控制系统、通信设备、以及各种消费电子设备。在这些应用中,它们有效地减少了设计复杂性和生产成本。
    使用建议:
    - 为了保证最佳性能,建议在温度高于25°C时按照表中提供的降额系数调整最大功耗。
    - 注意散热管理,特别是在高功耗操作下,确保良好的热管理以避免过热。
    - 由于具有多个不同的封装形式,选择合适的封装尺寸可以有效减少对PCB布局的影响。

    5. 兼容性和支持


    这些数字晶体管在多种不同的封装中提供,以适应不同的应用场景。具体包括SC-75、SOT-23、SC-59、SOT-723、SOT-1123等,这使得它们可以轻松集成到现有设计中。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能会遇到的典型问题及解决方案:
    - 问题1:功率超出安全范围导致过热。
    解决方案: 按照手册中提供的数据调整实际应用中的最大功率,注意降温措施。
    - 问题2:焊接后发现器件损坏。
    解决方案: 严格遵守焊接指南,特别是对于表面贴装元件,确保焊接温度和时间都在规定范围内。
    - 问题3:长时间使用后性能下降。
    解决方案: 定期检查连接点,确保良好的电气接触;同时确保适当的散热条件,延长器件寿命。

    7. 总结和推荐


    总结:
    这款数字晶体管集成了Bias Resistor网络,简化了电路设计,减少了成本和空间需求。它具备良好的热管理和稳定性,在各类复杂电子系统中表现出色。特别是对于汽车和其他需要高可靠性应用场合,这款产品提供了强大的保障。
    推荐:
    鉴于其诸多优点,尤其是在成本控制和小型化方面的优势,强烈推荐在新设计或替换现有设备时考虑使用这类数字晶体管。同时,厂商提供的详细支持和维护文档有助于快速解决问题并优化使用体验。

NSVDTC144WET1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 5mA,10mA
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
配置 -
最大功率耗散 300W
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA,10mA
集电极电流 100mA
长*宽*高 1.6mm*800μm*750μm
通用封装 SC-75,SOT-416
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 散装,卷带包装

NSVDTC144WET1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVDTC144WET1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVDTC144WET1G NSVDTC144WET1G数据手册

NSVDTC144WET1G封装设计

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