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NSBC124EF3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA NPN - 预偏压 500nA 50V 100mA SOT-1123 贴片安装
供应商型号: FL-NSBC124EF3T5G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBC124EF3T5G

NSBC124EF3T5G概述

    # 数字晶体管(BRT)技术手册解析

    产品简介


    本产品系列为数字晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT),具体型号包括MUN2212、MMUN2212L、MUN5212、DTC124EE、DTC124EM3和NSBC124EF3。这些晶体管设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络,集成了一个带有两个内部电阻的单个晶体管:串联基极电阻和基极-发射极电阻。BRT通过将这些独立组件集成到一个设备中,简化电路设计,减少板级空间需求并降低元件数量。此外,它们具有适用于汽车和其他特殊应用的独特标识前缀(S和NSV),符合AEC-Q101标准,并且均为无铅、无卤素、无溴化阻燃剂(BFR Free)且符合RoHS要求。
    主要功能:
    - 单个设备可实现多个独立组件的功能。
    - 内置两个电阻,用于基极和发射极偏置。
    应用领域:
    - 汽车电子
    - 工业控制
    - 消费类电子产品

    技术参数


    以下是关键的技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-基极电压 | - | - | 50 | Vdc |
    | 集电极-发射极电压 | - | - | 50 | Vdc |
    | 集电极电流(连续) | - | 100 | - | mAdc |
    | 输入正向电压 | - | - | 40 | Vdc |
    | 输入反向电压 | - | - | 10 | Vdc |
    | 热特性 | TA=25°C下最大功耗 | PD=230mW |
    其他详细参数还包括工作温度范围、引脚配置、封装尺寸及热阻抗等,确保产品能够在恶劣环境下稳定运行。

    产品特点和优势


    独特功能与优势:
    1. 简化电路设计:内置偏置网络,无需额外外部元件。
    2. 减少板级空间:采用小型封装,适合高密度PCB布局。
    3. 降低成本:减少元件数量,缩短开发周期。
    4. 环保特性:符合RoHS标准,绿色环保。
    5. 广泛认证:通过AEC-Q101认证,适配汽车行业严格要求。
    这些特性使得BRT在提高系统可靠性、降低制造成本的同时保持高性能表现,成为现代电子设计的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车灯控电路
    - 工业传感器接口
    - 家用电器控制模块
    使用建议:
    1. 选择合适的封装类型:根据具体应用需求选择SC-75、SOT-23等不同封装形式。
    2. 关注散热设计:需结合数据表中的热阻参数合理设计散热系统,避免因过热影响使用寿命。
    3. 匹配外围元件:如需要连接其他电路,确保输入输出信号幅值和频率匹配产品规格。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 可与其他数字逻辑芯片或模拟器件配合使用。
    - 支持多种主流嵌入式平台。
    厂商支持:
    ON Semiconductor提供详尽的技术文档和技术支持服务,包括样品申请、定制化解决方案等。用户可通过官网获取最新版本的数据手册和技术白皮书。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 增加散热片或优化PCB布局 |
    | 输入输出信号不稳定 | 检查外围元件参数是否符合规范 |
    | 贴装后出现虚焊现象 | 更换合格焊料并重新焊接 |

    总结和推荐


    综合评估:
    1. 主要优点:
    - 高度集成化设计显著降低了整体硬件复杂度。
    - 良好的电气性能和鲁棒性。
    - 环保材料符合国际标准。
    2. 适用场景:
    该产品尤其适合需要高密度集成和紧凑设计的应用场景,例如汽车电子、工业自动化等领域。
    推荐使用:
    强烈推荐给希望提升产品性能、降低开发成本的工程师和设计师。对于追求高可靠性和低成本的企业来说,这一系列数字晶体管无疑是一个理想的选择。

NSBC124EF3T5G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
集电极电流 100mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 -
最大功率耗散 -
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 NPN - 预偏压
配置 -
通用封装 SOT-1123
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBC124EF3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC124EF3T5G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSBC124EF3T5G NSBC124EF3T5G数据手册

NSBC124EF3T5G封装设计

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