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NSV2SC5658M3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 400mV@ 5mA,50mA NPN 260mW 7V 500nA 5V 50V 150mA SOT-723 贴片安装 1.2mm*800μm*500μm
供应商型号: CY-NSV2SC5658M3T5G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSV2SC5658M3T5G

NSV2SC5658M3T5G概述

    2SC5658M3T5G 和 2SC5658RM3T5G 技术手册

    产品简介


    2SC5658M3T5G 和 2SC5658RM3T5G 是由Semiconductor Components Industries, LLC设计的表面贴装型NPN硅通用放大晶体管。这两款晶体管采用SOT-723封装形式,适用于低功率表面贴装应用。其主要功能为放大电流,广泛应用于各种电路板中以节省空间和提升性能。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-基极击穿电压(IC=50μA,IE=0) | 50 | - | - | Vdc |
    | 集电极-发射极击穿电压(IC=1.0mA,IB=0) | 50 | - | - | Vdc |
    | 发射极-基极击穿电压(IE=50μA,IB=0) | 7.0 | - | - | Vdc |
    | 集电极-基极截止电流(VCB=30Vdc,IE=0) | - | - | 0.5 | μA |
    | 发射极-基极截止电流(VEB=4.0Vdc,IB=0) | - | - | 0.5 | μA |
    | 集电极-发射极饱和电压(IC=50mA,IB=5.0mA) | - | - | 0.4 | Vdc |
    | 直流电流增益(VCE=6.0Vdc,IC=1.0mA) | 120 | - | 560 | - |
    | 转换频率(VCE=12Vdc,IC=2.0mA,f=30MHz) | - | 180 | - | MHz |
    | 输出电容(VCB=12Vdc,IC=0mA,f=1.0MHz) | - | 2.0 | - | pF |
    额定值:
    - 集电极-基极电压:50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:50 Vdc
    - 发射极-基极电压:7.0 Vdc
    - 连续集电极电流:150 mA
    热特性:
    - 功率耗散:260 mW
    - 结温:150 ℃
    - 存储温度范围:-55~+150 ℃

    产品特点和优势


    - 减少占用空间:采用SOT-723小型封装,适合紧凑电路设计。
    - 高增益:直流电流增益典型值可达210至460,提高了信号放大能力。
    - 低饱和电压:集电极-发射极饱和电压小于0.5V,进一步增强放大效率。
    - 优异的静电放电性能:人体模型ESD耐受能力达2000V,机器模型达200V。
    - 高可靠性:无铅设计,AEC-Q101认证并具备PPAP资质。

    应用案例和使用建议


    这款晶体管特别适合于需要高性能和高可靠性的电路中,如音频放大器、信号调节电路等。使用时应注意以下几点:
    - 散热管理:确保良好的散热措施以避免过热。
    - 合理布线:紧凑布线,避免过多寄生电容和电感影响信号完整性。
    - 电源稳定性:确保稳定的电源供应,避免因电源波动导致工作异常。

    兼容性和支持


    该产品适用于多种电路板,并且与其他标准SOT-723封装产品兼容。ON Semiconductor提供了技术支持,可联系北美的技术支持电话或访问网站获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备发热严重 | 检查散热片安装是否正确,确保良好的空气流通。 |
    | 放大效果差 | 检查电源电压是否稳定,调整输入信号强度。 |
    | 无法正常工作 | 确认接线是否正确,检查是否有外部干扰。 |

    总结和推荐


    综上所述,2SC5658M3T5G 和 2SC5658RM3T5G 是一款优秀的NPN硅通用放大晶体管,具有显著的技术优势和广泛的适用性。如果您正在寻找高性能、高可靠性的放大晶体管,那么这款产品无疑是您的最佳选择。强烈推荐给需要高性能和高可靠性的电子工程应用。

NSV2SC5658M3T5G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 400mV@ 5mA,50mA
最大功率耗散 260mW
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 400mV@ 5mA,50mA
VCBO-最大集电极基极电压 5V
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 150mA
VEBO-最大发射极基极电压 7V
配置 独立式
长*宽*高 1.2mm*800μm*500μm
通用封装 SOT-723
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSV2SC5658M3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSV2SC5658M3T5G数据手册

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NSV2SC5658M3T5G封装设计

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