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NSVMUN5215DW1T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 500nA 50V 100mA SOT 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: NSVMUN5215DW1T1GOSTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMUN5215DW1T1G

NSVMUN5215DW1T1G概述

    双极型晶体管(Bias Resistor Transistor)技术手册

    产品简介


    双极型晶体管(Bias Resistor Transistor,BRT)是一类专门设计用于简化电路设计并减少系统成本及板空间的电子元器件。这类晶体管集成了单个晶体管及其外部电阻偏置网络的功能,通过将基极电阻和发射极-基极电阻集成到单一装置中,大大减少了外部组件的数量。常见的产品型号包括MUN5215DW1、NSBC114TDXV6、NSBC114TDP6等,适用于各种数字电路的应用,包括汽车及其他需要特殊控制和变更要求的应用场合。

    技术参数


    - 最高额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 集电极电流 (连续): 100 mA
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 40 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 6 Vdc
    - 热特性
    - 结至环境热阻 (RθJA): SOT-363: 670°C/W, SOT-563: 350°C/W, SOT-963: 540°C/W
    - 最高结温及存储温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - 关态漏电流 (ICBO): -100 nA
    - 开态饱和电压 (VCE(sat)): 0.25 Vdc
    - 电流增益 (hFE): 160 至 350
    - 输入电阻 (R1): 7 kΩ 至 13 kΩ

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:通过集成电阻网络,减少了外部组件,降低了设计复杂度。
    - 节省空间:由于集成化设计,有效节省电路板空间。
    - 减少元件数量:内部集成了电阻,减少了外部分立元件的需求。
    - AEC-Q101认证:满足汽车和其他特殊应用的需求。
    - 无铅/无卤素/无BFR材料:环保合规,适合绿色制造标准。

    应用案例和使用建议


    BRT晶体管广泛应用于数字电路、电源管理和传感器接口等领域。例如,在数字逻辑电路中,可以替代单独的晶体管和外部电阻网络,从而提高电路的可靠性。具体使用时,可以根据手册提供的性能参数选择合适的工作条件,以避免过载风险。此外,在高频信号处理中,应注意保持适当的散热措施,以防止器件因过热而损坏。

    兼容性和支持


    这些晶体管采用SOT-363、SOT-563和SOT-963封装,具有良好的互换性和通用性。对于不同的应用需求,厂商提供了多种封装选项。同时,厂商还提供技术支持和服务,确保客户能够高效地利用这些产品。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何确定合适的电源电压?
    - A:根据数据表中的最大集电极-发射极电压 (VCEO) 和集电极电流 (IC) 参数,选择适当的电源电压,确保不超过器件的最大额定值。

    - Q:晶体管工作时温度过高怎么办?
    - A:可以通过增加散热片或改善散热路径来降低工作温度。也可以选择更高热导率的封装类型。

    总结和推荐


    双极型晶体管(Bias Resistor Transistor)作为一款高度集成的电子元件,具备简化电路设计、节约成本和空间的优势。针对其特性,我们强烈推荐在各类数字电路中使用。尽管可能存在一些使用限制,但通过正确应用和维护,BRT可以显著提升系统的可靠性和性能。如果您在特定项目中寻求高效且可靠的解决方案,BRT无疑是理想的选择。

NSVMUN5215DW1T1G参数

参数
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
集电极电流 100mA
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMUN5215DW1T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMUN5215DW1T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMUN5215DW1T1G NSVMUN5215DW1T1G数据手册

NSVMUN5215DW1T1G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.0579 ¥ 0.4796
6000+ $ 0.052 ¥ 0.4306
15000+ $ 0.0456 ¥ 0.3775
21000+ $ 0.0435 ¥ 0.3609
30000+ $ 0.0416 ¥ 0.3447
75000+ $ 0.0373 ¥ 0.3092
150000+ $ 0.0347 ¥ 0.2873
300000+ $ 0.0333 ¥ 0.2758
库存: 6000
起订量: 3000 增量: 1
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