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PZT3906T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: PNP 1.5W 5V 40V 40V 200mA SOT-223 贴片安装 6.7mm*3.7mm*1.69mm
供应商型号: UA-PZT3906T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) PZT3906T1G

PZT3906T1G概述


    产品简介


    PZT3906T1G是一款通用型PNP硅基晶体管,专为需要高可靠性的广泛应用设计。这种晶体管采用无铅(Pb-free)、无卤素和无溴化阻燃剂(BFR free)的材料制造,并符合RoHS标准。它具备出色的电气特性和宽广的工作温度范围,适用于多种工业和消费电子领域。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): -40 Vdc
    - 集电极-基极电压 (VCBO): -40 Vdc
    - 发射极-基极电压 (VEBO): -5.0 Vdc
    - 集电极连续电流 (IC): -200 mAdc
    热特性
    - 总器件耗散 (TA = 25°C): PD = 1.5 W
    - 热阻 (结至环境): RθJA = 83.3 °C/W
    - 热阻 (结至引脚#4): RθJA = 35 °C/W
    - 结温及存储温度范围: TJ, Tstg = -55 to +150°C
    电气特性
    - 漏电特性 (IC = -1.0 mAdc, IB = 0)
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): -40 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): -40 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): -5.0 Vdc
    - 通态特性 (IC = -100 mAdc, VCE = -1.0 Vdc)
    - 直流电流增益 (HFE): 30 - 300
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): -0.25 Vdc
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): -0.65 Vdc
    - 小信号特性 (IC = -1.0 mAdc, VCE = -10 Vdc, f = 1.0 kHz)
    - 电流增益-带宽积 (fT): 250 MHz
    - 输出电容 (Cobo): 4.5 pF
    - 输入电容 (Cibo): 10 pF
    - 输入阻抗 (hie): 2.0 kΩ
    - 电压反馈比 (hre): 0.1 X 10^-4
    - 小信号电流增益 (hfe): 100 - 400
    - 输出导纳 (hoe): 3.0 μS

    产品特点和优势


    PZT3906T1G具有以下独特的功能和优势:
    - 高可靠性: 无铅、无卤素和无溴化阻燃剂的设计确保了高度的安全性和可靠性。
    - 广泛的工作温度范围: 能够在极端环境下稳定运行,适应工业和消费电子领域的各种应用。
    - 出色的电气特性: 如高直流电流增益、低饱和电压等,使其适合高速开关和模拟电路的应用。

    应用案例和使用建议


    PZT3906T1G可用于以下应用:
    - 音频放大器: 其低噪声特性使其适用于音频放大器设计。
    - 电源管理: 在开关电源中提供稳定的电流控制。
    - 通用电子电路: 可用于各种需要高可靠性的电子控制系统中。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应注意选择合适的散热方式以保证热稳定性。
    - 对于音频应用,建议使用高品质的连接器和测试夹具,以减少外部干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该晶体管与其他标准接口的电子元件兼容。
    - 支持: ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线支持和本地销售代表的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 使用合适的散热器,并确保良好的空气流通。 |
    | 噪声过大 | 检查电源和接地线是否稳定,考虑增加滤波电容。 |
    | 电流不稳定 | 确保输入信号稳定,检查电路接线是否有误。 |

    总结和推荐


    PZT3906T1G是一款高性能的PNP硅基晶体管,具备高可靠性、广泛的温度适应能力和优异的电气特性。其在音频放大器和电源管理中的表现尤为出色,适用于需要稳定电流控制的场合。对于寻求高性能且可靠性的设计师和制造商来说,PZT3906T1G是一个值得推荐的选择。

PZT3906T1G参数

参数
配置 独立式
集电极截止电流 -
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大集电极发射极饱和电压 400mV@ 5mA,50mA
晶体管类型 PNP
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
最大功率耗散 1.5W
VCBO-最大集电极基极电压 40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极电流 200mA
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.69mm
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

PZT3906T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

PZT3906T1G数据手册

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PZT3906T1G封装设计

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