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BSS64LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 200mV@ 15mA,50mA NPN 300mW 5V 100nA 120V 80V 100mA SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1mm
供应商型号: BSS64LT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) BSS64LT1G

BSS64LT1G概述

    BSS64LT1G NPN Silicon Driver Transistor

    产品简介


    BSS64LT1G是一款由onsemi公司生产的NPN硅制驱动晶体管。这款晶体管主要用于各种电力转换和控制应用,如电机驱动、开关电源及信号放大等领域。它的主要功能是作为电子电路中的开关或放大器,实现电流的控制和放大作用。

    技术参数


    以下是BSS64LT1G的主要技术规格和性能参数:
    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 80 Vdc
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 120 Vdc
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \): 5.0 Vdc
    - 连续集电极电流 \( IC \): 100 mA
    - 热特性
    - 最大总耗散功率(FR-5板,\( TA = 25°C \)):225 mW,超过25°C时每度降额1.8 mW/°C
    - 热阻,结至环境 \( R{\theta JA} \): 556 °C/W
    - 最大结温及存储温度 \( T{J}, T{stg} \): -55到+150 °C
    - 电气特性
    - 关断特性
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{(BR)CEO} \): 80 Vdc(\( IC = 4.0 \text{mA}{\text{dc}} \))
    - 集电极-基极击穿电压 \( V{(BR)CBO} \): 120 Vdc(\( IC = 100 \mu \text{A}{\text{dc}} \))
    - 发射极-基极击穿电压 \( V{(BR)EBO} \): 5.0 Vdc(\( IE = 100 \mu \text{A}{\text{dc}} \))
    - 接通特性
    - 直流电流增益 \( H{FE} \): 20到∞(\( V{CE} = 1.0 \text{V}{\text{dc}}, IC = 10 \text{mA}{\text{dc}} \))
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CE(sat)} \): 0.15到0.2 Vdc
    - 小信号特性
    - 电流增益-带宽积 \( fT \): 60 MHz(\( IC = 4.0 \text{mA}{\text{dc}}, V{CE} = 10 \text{V}{\text{dc}}, f = 20 \text{MHz} \))

    产品特点和优势


    - 无铅且符合RoHS标准:确保产品环保,适用于各类环境敏感型应用。
    - 高耐压和低导通电阻:使得该晶体管能在高压环境中稳定运行,且具有较低的导通损耗。
    - 优异的热特性:即使在高温环境下,也能保证正常运行,避免过热问题。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于电机驱动电路中,控制电机的启停及速度;也可以应用于开关电源,实现对输出电压的精确调节。
    - 使用建议:建议在使用前根据具体应用需求进行详细测试,特别是在高温环境下需要关注散热措施,以确保晶体管的安全稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他常见的NPN晶体管基本兼容,适用于大多数常规电路设计。
    - 支持服务:onsemi提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管在高负载下容易发热,导致可靠性下降。
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片或采用更好的冷却方式。

    - 问题2:启动过程中存在不稳定的状况。
    - 解决方案:检查电路设计,特别是电源稳定性,确保输入电压平稳。

    总结和推荐


    BSS64LT1G是一款高性能、环保的NPN硅制驱动晶体管,特别适合于需要高耐压和良好热稳定性的场合。其具备多种独特优势,无论是从技术参数还是应用范围来看,都表现出色。因此,强烈推荐使用此款产品。

BSS64LT1G参数

参数
晶体管类型 NPN
集电极截止电流 100nA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 200mV@ 15mA,50mA
集电极电流 100mA
VCBO-最大集电极基极电压 120V
最大集电极发射极饱和电压 0.2@ 15mA,50mA
最大功率耗散 300mW
配置 独立式
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSS64LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

BSS64LT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR BSS64LT1G BSS64LT1G数据手册

BSS64LT1G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1526
6000+ ¥ 0.1475
12000+ ¥ 0.1424
库存: 36000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 457.8
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