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KSB1015YTU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1V@ 300mA,3A PNP 25W 7V 100μA 60V 60V 3A TO-220F-3 通孔安装 10.16mm*4.7mm*9.19mm
供应商型号: KSB1015YTU
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSB1015YTU

KSB1015YTU概述

    KSB1015 PNP Epitaxial Silicon Transistor

    1. 产品简介


    KSB1015 是一种PNP双极晶体管,特别适用于低频功率放大器。它具备低集电极-发射极饱和电压,可以作为KSD1406的补充型号。该产品适用于多种应用领域,包括通信设备、音频放大器和工业控制系统。

    2. 技术参数


    以下是KSB1015的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): -60V
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): -60V
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \): -7V
    - 集电极电流 (DC) \( IC \): 3A
    - 基极电流 \( IB \): 0.5A
    - 集电极耗散功率 \( PC \) (25°C): 25W
    - 结温 \( TJ \): 150°C
    - 存储温度 \( T{STG} \): -55°C 至 150°C
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 \( BV{CEO} \): -60V ( \( IC \) = -50mA, \( IB \) = 0)
    - 集电极截止电流 \( I{CBO} \): 100µA ( \( V{CB} \) = -60V, \( IE \) = 0)
    - 发射极截止电流 \( I{EBO} \): 100µA ( \( V{EB} \) = -7V, \( IC \) = 0)
    - 直流电流增益 \( h{FE1} \): 60~120 ( \( V{CE} \) = -5V, \( IC \) = -0.5A)
    - 直流电流增益 \( h{FE2} \): 200 ( \( V{CE} \) = -5V, \( IC \) = -3A)
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CE(sat)} \): -0.5V ( \( IC \) = -3A, \( IB \) = -0.3A)
    - 基极-发射极开启电压 \( V{BE(on)} \): -0.7V ( \( V{CE} \) = -5V, \( IC \) = -0.5A)
    - 电流增益带宽积 \( fT \): 9MHz ( \( V{CE} \) = -5V, \( IC \) = -0.5A)

    3. 产品特点和优势


    - 低集电极-发射极饱和电压:使KSB1015在低频应用中表现优异,提高效率。
    - 高电流增益:保证了较高的信号放大能力。
    - 广泛的工作温度范围:使其适用于恶劣环境。
    - 快速开关特性:如开关时间短( \( t{ON} \) = 0.4µs),适合需要快速响应的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 通信设备:可用于放大通信信号。
    - 音频放大器:由于其低饱和电压,适用于音质要求高的场合。
    - 工业控制系统:适用于各种控制回路,确保稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保散热措施良好,特别是在高电流条件下。
    - 考虑到电流增益的变化,对于不同应用需要验证具体参数。
    - 使用外部补偿电路来进一步优化性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与其他标准PNP晶体管兼容,便于替换和升级。
    - 支持:ON Semiconductor提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过热?
    - 解决方案:合理布局散热器,确保良好的空气流通。

    - 问题2:直流电流增益变化大怎么办?
    - 解决方案:在设计时考虑温度和电流对增益的影响,进行适当的补偿。

    7. 总结和推荐


    KSB1015是一款高性能的PNP晶体管,适用于多种低频功率放大应用。它的低饱和电压、高电流增益和快速开关特性使其在市场上具有很强的竞争力。尽管使用过程中需要注意散热和电流增益变化的问题,但总体来说,KSB1015是一款值得推荐的产品。

KSB1015YTU参数

参数
最大功率耗散 25W
最大集电极发射极饱和电压 1V@ 300mA,3A
集电极截止电流 100μA
晶体管类型 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1V@ 300mA,3A
配置 独立式
集电极电流 3A
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
VEBO-最大发射极基极电压 7V
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*9.19mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

KSB1015YTU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSB1015YTU数据手册

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KSB1015YTU封装设计

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