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NSBC143ZPDP6T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 408mW 500nA 50V 100mA SOT-963 贴片安装 1mm(长度)*800μm(宽度)
供应商型号: NSBC143ZPDP6T5GOSTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 8000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBC143ZPDP6T5G

NSBC143ZPDP6T5G概述

    Complementary Bias Resistor Transistors (BRTs)

    1. 产品简介


    Complementary Bias Resistor Transistors(BRTs)是一系列数字晶体管,设计用于替换单个器件及其外部电阻偏置网络。这些器件集成了单个晶体管和一个包含两个电阻的单片偏置网络,包括一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些组件集成到单一设备中,降低了系统成本并减少了板空间。

    2. 技术参数


    以下是BRT的技术规格和性能参数:
    | 特性名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-基极截止电流 (VCB = 50 V, IE = 0) | - | - | 100 | nAdc |
    | 集电极-发射极截止电流 (VCE = 50 V, IB = 0) | - | - | 500 | nAdc |
    | 发射极-基极截止电流 (VEB = 6.0 V, IC = 0) | - | - | 0.18 | mAdc |
    | 集电极-基极击穿电压 (IC = 10 μA, IE = 0) | 50 | - | - | Vdc |
    | 集电极-发射极击穿电压 (IC = 2.0 mA, IB = 0) | 50 | - | - | Vdc |
    | 直流增益 (IC = 5.0 mA, VCE = 10 V) | 80 | 200 | - | - |
    | 集电极-发射极饱和电压 (IC = 10 mA, IB = 1.0 mA) | - | - | 0.25 | V |
    | 输入电压 (Off) (VCE = 5.0 V, IC = 100 μA) | - | 0.6 | 0.5 | Vdc |
    | 输入电压 (On) (VCE = 0.3 V, IC = 5.0 mA) | 1.3 | 0.9 | - | Vdc |
    | 输出电压 (On) (VCC = 5.0 V, VB = 2.5 V, RL = 1.0 kΩ) | - | - | 0.2 | Vdc |
    | 输出电压 (Off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 kΩ) | 4.9 | - | - | Vdc |
    | 输入电阻 R1 | 3.3 | 4.7 | 6.1 | kΩ |
    | 电阻比 R1/R2 | 0.08 | 0.1 | 0.14

    3. 产品特点和优势


    BRT的主要特点和优势包括:
    - 简化电路设计
    - 减少板空间占用
    - 减少元件数量
    - S 和 NSV前缀适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用
    - AEC-Q101认证且PPAP能力
    - 无铅,无卤素,BFR-Free,RoHS符合

    4. 应用案例和使用建议


    BRT广泛应用于各种需要单个器件及外部电阻偏置网络的场合。例如,在需要高密度集成和紧凑设计的汽车电子系统中,BRT能够显著减少空间和成本。在具体应用中,推荐根据负载需求选择合适的R1和R2阻值,以确保最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    这些器件与特定的应用场景兼容,并由制造商提供全面的支持和服务。此外,制造商还提供了详细的文档和技术支持,以帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及其解决方案如下:
    - 问题:如何确定最适合的R1和R2阻值?
    - 解决方法: 依据负载电流的需求,参考技术手册中的电气特性,选择合适的阻值组合。
    - 问题:BRT是否适用于高温环境?
    - 解决方法: 从技术手册中可以看出,这些器件的工作温度范围为-55°C到+150°C,因此适合于广泛的高温应用场景。

    7. 总结和推荐


    综上所述,Complementary Bias Resistor Transistors(BRTs)因其简化电路设计、减少板空间占用和减少元件数量等优点,在多种应用场景中表现出色。特别是在需要紧凑设计和高集成度的汽车电子和其他工业领域中,BRT是一个理想的选择。强烈推荐在相关项目中采用这些产品。

NSBC143ZPDP6T5G参数

参数
集电极截止电流 500nA
最大功率耗散 408mW
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 100mA
配置 -
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 0.25@ 1mA,10mA
长*宽*高 1mm(长度)*800μm(宽度)
通用封装 SOT-963
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBC143ZPDP6T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC143ZPDP6T5G数据手册

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NSBC143ZPDP6T5G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
8000+ $ 0.0644 ¥ 0.5389
16000+ $ 0.0587 ¥ 0.491
24000+ $ 0.0558 ¥ 0.4666
40000+ $ 0.0525 ¥ 0.4391
56000+ $ 0.0505 ¥ 0.4229
80000+ $ 0.0486 ¥ 0.4071
200000+ $ 0.0458 ¥ 0.383
库存: 16000
起订量: 8000 增量: 1
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最小起订量为:8000
合计: ¥ 4311.2
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