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KSA733CGBU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mV@ 10mA,100mA PNP 250mW 5V 100nA 60V 50V 150mA TO-92-3 通孔安装 4.7mm*3.93mm*4.7mm
供应商型号: CY-KSA733CGBU
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSA733CGBU

KSA733CGBU概述

    电子元器件产品技术手册:KSA733 PNP晶体管

    产品简介


    KSA733是一款PNP(P型-本征-N型)的外延硅晶体管,适用于低频放大器应用。该产品具有良好的击穿电压特性、高增益带宽积和较低的饱和电压。它的设计使得它成为KSC945的互补品,并提供了中心集电极版本,以方便在电路板上定位。KSA733广泛应用于音频处理、电源管理以及各种需要高可靠性的工业控制领域。

    技术参数


    KSA733的技术规格如下:
    - 最大绝对额定值
    - 集电极-基极电压:\( V{CBO} \leq -60V \)
    - 集电极-发射极电压:\( V{CEO} \leq -50V \)
    - 发射极-基极电压:\( V{EBO} \leq -5V \)
    - 集电极电流:\( IC \leq -150mA \)
    - 集电极耗散功率:\( PC \leq 250mW \)
    - 结温:\( TJ \leq 150^{\circ}C \)
    - 存储温度范围:\( T{STG} \in [-55, 150]^{\circ}C \)
    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压:\( BVCBO \geq -60V \)
    - 集电极-发射极击穿电压:\( BVCEO \geq -50V \)
    - 发射极-基极击穿电压:\( BVEBO \geq -5V \)
    - 集电极截止电流:\( ICBO \leq -100nA \)
    - 发射极截止电流:\( IEBO \leq -100nA \)
    - 直流电流增益:\( hFE \in [40, 700] \)
    - 饱和电压:\( V{CE(sat)} \in [-0.3, -0.18]V \)
    - 基极-发射极导通电压:\( V{BE(on)} \in [-0.8, -0.5]V \)
    - 电流增益-带宽积:\( fT \in [50, 180]MHz \)
    - 输出电容:\( C{OB} \leq 2.8pF \)
    - 噪声系数:\( NF \in [6.0, 20]dB \)

    产品特点和优势


    KSA733的主要特点是其高直流电流增益和低噪声系数,使其特别适合于音频放大和信号处理应用。此外,其较高的击穿电压和较小的饱和电压使其能够在多种环境下稳定工作。这些特性使得KSA733在工业控制、通信设备及消费电子产品中拥有广泛的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    KSA733常用于低频放大器的设计中。例如,在一个典型的音频放大器设计中,可以使用KSA733作为前级放大器来提高输入信号的增益。在使用过程中,应注意散热设计以避免过热,同时保证合适的偏置电压和负载电阻,以确保最佳的性能和可靠性。

    兼容性和支持


    KSA733与大多数标准的电子元器件具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有电路中。此外,制造商提供详细的技术文档和应用程序笔记,以帮助用户更好地理解和使用该产品。对于技术支持和维护方面的需求,用户可以通过Fairchild Semiconductor公司的官方渠道获取相应的服务和支持。

    常见问题与解决方案


    在使用KSA733时,用户可能会遇到以下问题及其解决方案:
    - 问题:过热
    - 解决办法:增加散热片或者使用散热器,保证适当的散热措施。

    - 问题:噪声较大
    - 解决办法:检查电源和地线的稳定性,尽量减少外部干扰。

    - 问题:增益不足
    - 解决办法:调整基极偏置电压,确保正确的电流设置。

    总结和推荐


    KSA733是一款性能优良的PNP晶体管,具有高直流电流增益、低噪声和较高的击穿电压等特点。其广泛的应用范围和良好的市场竞争力使其成为许多应用场合的理想选择。通过适当的散热设计和合理的使用方法,KSA733能够发挥出最佳的性能。因此,我们强烈推荐在需要高可靠性和高性能的场合使用KSA733。
    通过以上详细的分析,可以看出KSA733在多个应用领域中具有显著的优势和潜力。希望这份技术手册能够为工程师和技术人员在选择和使用KSA733时提供有价值的参考。

KSA733CGBU参数

参数
集电极电流 150mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 10mA,100mA
晶体管类型 PNP
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 10mA,100mA
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
最大功率耗散 250mW
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCBO-最大集电极基极电压 60V
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
长*宽*高 4.7mm*3.93mm*4.7mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装

KSA733CGBU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSA733CGBU数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR KSA733CGBU KSA733CGBU数据手册

KSA733CGBU封装设计

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