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BSP33,115

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 1.3KW 5V 100nA 90V 80V 1mA(DC) 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NXP SEMICONDUCTORS 三极管(BJT) BSP33,115

BSP33,115概述

    BSP31; BSP32; BSP33 PNP 中功率晶体管技术手册

    1. 产品简介


    BSP31、BSP32 和 BSP33 是由 NXP Semiconductors(现为 Nexperia)生产的一系列 PNP 中功率晶体管。这些晶体管适用于多种工业应用,如电信和通用工业设备。它们封装于 SOT223 塑料外壳中,能够提供高达 1 A 的连续集电极电流和最高 80 V 的电压。NPN 补充型号为 BSP41 和 BSP43。

    2. 技术参数


    | 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | VCBO | 开路发射极 -70 | V |
    | -90 | V |
    | VCEO | 开路基极 -60 | V |
    | -80 | V |
    | VEBO | 开路集电极 -5 | V |
    | IC | 直流 -1 | A |
    | ICM | 峰值集电极 -2 | A |
    | IBM | 峰值基极 -200 | mA |
    | Ptot | 总功率损耗 1.3 | W |
    | Tstg | 存储温度 | -65 | +150 | °C |
    | Tj | 结温 150 | °C |
    | Tamb | 操作环境温度 | -65 | +150 | °C |
    热特性:
    | 参数 | 条件 | 值 | 单位 |
    ||
    | Rth j-a | 结至环境热阻 | 93 | K/W |
    | Rth j-s | 结至焊接点热阻 | 12 | K/W |
    电气特性:
    | 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | ICBO | 集电极截止电流 -100 | nA |
    | hFE DC 电流增益 | IC = -100 μA | 10 | - | - |
    IC = -100 mA | 40 | 120 | - |
    | VCEsat | 集电极-发射极饱和电压 -250 | mV |
    | VBEsat | 基极-发射极饱和电压 -1 | V |
    | fT 过渡频率 | IC = -50 mA | 100 | - | MHz|

    3. 产品特点和优势


    BSP31、BSP32 和 BSP33 的特点是:
    - 高电流处理能力:最大连续集电极电流可达 1 A。
    - 低电压要求:最大集电极-发射极电压为 80 V。
    - 良好的热稳定性:具有较低的结到环境热阻 (Rth j-a) 和结到焊接点热阻 (Rth j-s),确保在高负载条件下保持稳定的工作状态。
    - 广泛的适用性:适用于各种工业应用,如电信和通用工业设备。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管广泛应用于电信设备、电源管理和一般工业控制等领域。例如,在通信设备中用于信号放大和切换电路。对于使用这类晶体管的应用设计,建议遵循制造商的技术规范,确保安装条件满足最小散热要求,并考虑适当的热管理措施,以延长使用寿命并提高可靠性。

    5. 兼容性和支持


    BSP31、BSP32 和 BSP33 与常见的 SOT223 封装的其他晶体管兼容。Nexperia 提供全面的技术支持,包括详细的规格文档、设计指南和销售联系方式,确保用户能够获得必要的技术支持和服务。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:过载情况下晶体管损坏。
    解决方案:检查电路设计,确保电流和电压不超过额定值,同时增加适当的保护电路,如保险丝或限流电阻。
    2. 问题:高温环境下工作不稳定。
    解决方案:采用适当的散热设计,如增加散热片或使用强制风冷系统,确保结温保持在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    BSP31、BSP32 和 BSP33 是高性能的 PNP 中功率晶体管,具有高电流处理能力和优良的电气特性。这些晶体管非常适合需要稳定性能和高可靠性的工业应用。强烈推荐在相关应用中使用这些晶体管,特别是在电信、电源管理和工业自动化等领域。

BSP33,115参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 0.5@ 50mA @ 500mA,0.25@ 15mA @ 150mA
晶体管类型 -
配置 -
集电极电流 1mA(DC)
集电极截止电流 100nA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大功率耗散 1.3KW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
VCBO-最大集电极基极电压 90V
6.7mm(Max)
3.7mm(Max)
1.7mm(Max)
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

BSP33,115厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BSP33,115数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 三极管(BJT) NXP SEMICONDUCTORS BSP33,115 BSP33,115数据手册

BSP33,115封装设计

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