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BFU668F,115

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 200mW 2.5V 16V 5.5V 40mA DFP-4 贴片安装
供应商型号: 2890621
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
NXP SEMICONDUCTORS 三极管(BJT) BFU668F,115

BFU668F,115概述

    # NXP BFU668F NPN Wideband Silicon RF Transistor

    1. 产品简介


    1.1 基本描述
    BFU668F 是一款NPN型硅基微波晶体管,采用塑料封装(SOT343F),四引脚双发射极设计。它为Ku频段锁相环振荡器(DRO)提供创新解决方案,是高增益低噪声放大器的理想选择。BFU668F在射频及微波频段内表现出优异的线性度和稳定性,非常适合对成本敏感的应用场合。
    1.2 主要功能与应用领域
    - 核心功能:适用于Ku频段锁相环振荡器(DRO)、低功耗低噪声放大器(LNA)。
    - 应用领域:
    - Ku频段低噪声块(LNB)中的锁相环振荡器
    - C频段应用中的低功耗低噪声放大器
    1.3 技术亮点
    - 提供卓越的输出功率与低相位噪声:在12mA电流消耗下,达到5dBm输出功率和−55 dBc/Hz/1kHz的相位噪声。
    - 高增益和低噪声:适合低成本低噪声放大器应用。
    - 利用40GHz ft技术,确保高频性能优异。

    2. 技术参数


    以下为BFU668F的关键技术指标:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-基极电压(VCBO)| - | - | 16 | V |
    | 集电极-发射极电压(VCEO)| - | - | 5.5 | V |
    | 发射极-基极电压(VEBO)| - | - | 2.5 | V |
    | 集电极电流(IC) | - | 15 | 40 | mA |
    | 总耗散功率(Ptot) | - | - | 200 | mW |
    | 小信号增益(Gp(max)) | - | 10.5 | - | dB |
    | 最大输出三阶截获点(IP3o(max))| - | - | 24 | dBm |
    | 噪声系数(NF) | - | 1.7 | - | dB |
    此外,该器件的工作温度范围为-65°C至+150°C,符合严格的工业级标准。

    3. 产品特点和优势


    BFU668F具有以下显著特点和优势:
    1. 低功耗高效能:即使在12mA电流下,仍可提供出色的输出功率和相位噪声表现。
    2. 高增益与低噪声特性:适合在低噪声放大器和高频应用中实现卓越性能。
    3. 宽频带特性:适合多种高频无线通信应用。
    4. 工艺先进:采用先进的40GHz ft硅技术,确保高频稳定性与可靠性。
    这些特点使其在通信、广播及测试仪器等市场具有极强的竞争优势。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - Ku频段低噪声振荡器(LNB):用于卫星接收系统,提供稳定且低噪声的频率源。
    - C频段低功耗放大器:应用于雷达、微波通信系统中,满足高增益和低功耗需求。
    使用建议
    1. 确保电路板布局合理,减少寄生效应,特别是高频信号走线的阻抗匹配。
    2. 配合适当的偏置电路(如图2所示),调整电流以平衡功耗和性能。
    3. 在高频设计中,注意采用高质量电容和电感以提高频率稳定性。

    5. 兼容性和支持


    BFU668F与大多数标准电路设计完全兼容。NXP Semiconductors提供了详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南、应用笔记和快速响应的技术支持团队。此外,该产品具备良好的焊接兼容性,可在不同制造工艺中灵活使用。

    6. 常见问题与解决方案


    以下为用户可能遇到的一些典型问题及解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 输出功率不足 | 检查电源电压和电流,优化偏置网络 |
    | 相位噪声过高 | 调整外部滤波电路,增加屏蔽措施 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,添加导热垫片或风扇 |

    7. 总结和推荐


    产品综合评估
    BFU668F凭借其高增益、低噪声、低功耗等特性,成为射频与微波应用领域的理想选择。尤其在Ku频段和C频段应用中,它展示了卓越的性能与经济性,是一款值得信赖的产品。
    推荐意见
    如果您的项目需要高性能、低成本的高频放大器或振荡器模块,强烈推荐使用BFU668F。其优秀的特性能够轻松应对现代通信和测控系统的苛刻要求。

BFU668F,115参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 5.5V
晶体管类型 -
集电极电流 40mA
最大功率耗散 200mW
VEBO-最大发射极基极电压 2.5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 16V
集电极截止电流 -
最大集电极发射极饱和电压 -
配置
通用封装 DFP-4
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

BFU668F,115厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BFU668F,115数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 三极管(BJT) NXP SEMICONDUCTORS BFU668F,115 BFU668F,115数据手册

BFU668F,115封装设计

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